[发明专利]一种射频滤波电路和静电夹盘在审
| 申请号： | 201310705604.1 | 申请日： | 2013-12-19 |
| 公开（公告）号： | CN104733363A | 公开（公告）日： | 2015-06-24 |
| 发明（设计）人： | 梁洁;叶如彬 | 申请（专利权）人： | 中微半导体设备（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/683 | 分类号： | H01L21/683;H01L23/60;H03H7/09 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 王宝筠 |
| 地址： | 201201 上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 射频 滤波 电路 静电 | ||
1.一种射频滤波电路，其特征在于，至少包括，第一电感线圈和第二电感线圈，所述第二电感线圈与所述第一电感线圈上的中间抽头连接，所述第一电感线圈在工作时产生第一驻波效应，所述中间抽头位于第一驻波电压的最低处；
其中，所述第一电感线圈用于限制第一频率的射频能量，所述第二电感线圈用于限制第二频率的射频能量，所述第一频率高于第二频率。
2.根据权利要求1所述的射频滤波电路，其特征在于，所述第一电感线圈的末端连接有固定电容，所述固定电容接地。
3.根据权利要求1或2所述的射频滤波电路，其特征在于，所述射频滤波电路还包括，第三电感线圈，所述第二电感线圈在工作时产生第二驻波效应，所述第三电感线圈与所述第二电感线圈的中间抽头连接，所述第二电感线圈的中间抽头位于所述第二驻波电压的最低处；
所述第三电感线圈用于限制第三频率的射频能量，所述第三频率低于所述第二频率。
4.根据权利要求1或2所述的射频滤波电路，其特征在于，所述第一电感线圈为空气芯电感线圈。
5.根据权利要求1或2所述的射频滤波电路，其特征在于，所述第二电感线圈为铁芯电感线圈。
6.根据权利要求3所述的射频滤波电路，其特征在于，所述第三电感线圈为铁芯电感线圈。
7.根据权利要求1或2所述的射频滤波电路，其特征在于，所述第一射频频率大于40MHz，所述第二射频频率低于20MHz。
8.根据权利要求3所述的射频滤波电路，其特征在于，所述第三射频频率低于20MHz。
9.一种静电夹盘，所述静电夹盘用于等离子体加工工艺中，所述等离子体加工工艺采用的射频能量为多个射频功率的射频能量，所述静电夹盘内设置有加热片和用于测量加热片温度的热电偶，所述加热片由加热电源加热，在所述加热片和所述加热电源之间设置有第一射频滤波器，在所述热电偶和连接所述热电偶的测量电路之间设置有第二射频滤波器，其特征在于，所述第一射频滤波器和/或第二射频滤波器的滤波电路为如权利要求1-8任一项所述的滤波电路。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
