[发明专利]半导体器件和用于制造半导体器件的方法有效
| 申请号： | 201310704314.5 | 申请日： | 2013-12-19 |
| 公开（公告）号： | CN103985709B | 公开（公告）日： | 2017-09-08 |
| 发明（设计）人： | V.卡波迪西;M.丁克尔;U.施马尔茨鲍尔;M.聪德尔 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/04 | 分类号： | H01L27/04;H01L21/77 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司72001 | 代理人： | 马丽娜,胡莉莉 |
| 地址： | 德国瑙伊比*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 半导体器件和用于制造半导体器件的方法。一种半导体器件包括半导体衬底，该半导体衬底包括具有多边形几何形状的主表面和在半导体衬底上的主区域内制造的主电路。主电路可操作用于执行电主要功能。主区域在半导体衬底的主表面上延伸，保留开放在半导体衬底的主表面的多边形几何形状的角处的至少一个角区。该角区在所述角处开始沿着半导体衬底的边缘延伸至少300μm。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 用于 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：半导体衬底，其包括具有多边形几何形状的主表面；和在所述半导体衬底上的主区域内制造的主电路，其中所述主电路可操作用于执行电主要功能，其中所述主区域在所述半导体衬底的所述主表面上延伸，保留开放在所述半导体衬底的所述主表面的所述多边形几何形状的角处的至少一个角区，其中所述角区在所述角处开始沿着所述半导体衬底的边缘延伸至少300μm。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
