[发明专利]一种半导体器件及其制造方法在审
| 申请号： | 201310697455.9 | 申请日： | 2013-12-17 |
| 公开（公告）号： | CN104716173A | 公开（公告）日： | 2015-06-17 |
| 发明（设计）人： | 陈勇 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/423;H01L29/417;H01L21/331;H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 高伟;赵礼杰 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体器件及其制造方法，涉及半导体技术领域。本发明的半导体器件包括隧道场效应晶体管，在该隧道场效应晶体管中，源极位于半导体衬底之上，栅极与绝缘体并列设置于源极之上，漏极设置于栅极与绝缘体的上方并覆盖栅极与绝缘体。由于隧道场效应晶体管的栅极位于绝缘体的侧面，而漏极和源极分别位于绝缘体与栅极共同的上方与下方，因此可以形成大的隧道路径区域，获得大的亚阈值摆幅以及大的开启电流和关断电流的比值，提高隧道场效应晶体管的性能，进而提高半导体器件的性能。本发明的半导体器件的制造方法，用于制造上述半导体器件，制得的半导体器件同样具有上述优点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，其特征在于，包括半导体衬底以及位于所述半导体衬底上的隧道场效应晶体管，所述隧道场效应晶体管包括位于所述半导体衬底上的源极、漏极、绝缘体以及栅极；其中，所述源极位于所述半导体衬底之上，所述栅极与所述绝缘体并列设置于所述源极之上，所述漏极设置于所述栅极与所述绝缘体的上方并覆盖所述栅极与所述绝缘体，所述栅极与所述源极以及所述绝缘体之间被第一栅极绝缘层所隔离，所述栅极与所述漏极之间被第二栅极绝缘层所隔离。
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