[发明专利]一种金属紫外光电探测器的制备工艺在审
| 申请号： | 201310660805.4 | 申请日： | 2013-12-09 |
| 公开（公告）号： | CN104701409A | 公开（公告）日： | 2015-06-10 |
| 发明（设计）人： | 马文超 | 申请（专利权）人： | 青岛平度市旧店金矿 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18;H01L21/205 |
| 代理公司： | 无 | 代理人： | 无 |
| 地址： | 266700 *** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种GaN金属-半导体-金属紫外光电探测器的制备工艺。其技术方案是：利用金属有机物化学汽相沉积(MOCVD)方法在蓝宝石衬底上制备了GaN单晶薄膜，并对样品进行X射线衍射和光致发光谱测量。利用GaN样品成功地制备了MSM结构GaN紫外光电探测器。本发明的特点是：GaN基材料还具有很高的热导率和电子饱和速度，极高的击穿电场，稳定的物理和化学特性。MSM结构因其平面型、制备工艺相对简单、无需制作p2n结、避开掺杂和欧姆接触等问题容易获得高量子效率、高响应速度以及便于单片光电集成等诸多优点而倍受青睐。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 金属 紫外 光电 探测器 制备 工艺 | ||
【主权项】：
一种GaN金属‑半导体‑金属紫外光电探测器的制备工艺，其特征是利用金属有机物化学汽相沉积(MOCVD) 方法在蓝宝石衬底上制备了GaN 单晶薄膜，并对样品进行X 射线衍射和光致发光谱测量，利用GaN 样品成功地制备了MSM结构GaN 紫外光电探测器。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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