[发明专利]一种金属紫外光电探测器的制备工艺

权利要求书

1.一种GaN金属-半导体-金属紫外光电探测器的制备工艺，其特征是利用金属有机物化学汽相沉积(MOCVD) 方法在蓝宝石衬底上制备了GaN 单晶薄膜，并对样品进行X 射线衍射和光致发光谱测量，利用GaN 样品成功地制备了MSM结构GaN 紫外光电探测器。

2.根据权利要求1所述的一种GaN金属-半导体-金属紫外光电探测器的制备工艺，其特征是：用MOCVD 设备在(0001)晶向的蓝宝石(Al₂O₃)衬底上采用两步生长法生长GaN 样品，三甲基镓(TMGa) 和高纯氨气(NH₃) 分别作Ⅲ族源和Ⅴ族源，Pd 纯化的H₂作载气，衬底进反应室后先在1150℃的H₂气氛下烘烤20 min 以除去表面的吸附杂质，接着在H₂/ NH₃混合气氛下氮化3 min，然后降温至540℃左右生长20 nm 厚的GaN缓冲层，之后再将温度升至1100℃恒温6 min，使缓冲层重新结晶，最后在1070℃高温下生长约为3μm 厚的GaN外延层。

3.根据权利要求1所述的一种GaN金属-半导体-金属紫外光电探测器的制备工艺，其特征是：用增强化学气相沉积( PECVD) 方法在GaN样品表面淀积Si3N4 介质膜，对样品进行光刻、显影，再用反应离子刻蚀(RIE) 技术刻蚀出窗口凹槽，样品经去胶后用去离子水冲洗，再用N₂气吹干，用型号为INNOTEC的电子束蒸发台，在真空度1.3332Pa 下，蒸发厚度分别为20 nm/ 40nm/ 60 nm 的Ti/ Pt/ Au 三层金属，经合金退火后用剥离工艺形成间距相等、对称的叉指状电极。

4.根据权利要求1所述的一种GaN金属-半导体-金属紫外光电探测器的制备工艺，其特征是：中间层的制备：将做完底层的钛基体放在含有200g/L Pb(NO₃)₂、0.5 g/LNaF、pH=2~3的电沉积液中，用磁力加热搅拌器搅拌，控制电流密度0.04A/cm²，温度为70℃，电解2h，可制得一块厚度约1mm的纯二氧化铅电极，完成中间层的制备。

5.根据权利要求1所述的一种GaN金属-半导体-金属紫外光电探测器的制备工艺，其特征是：掺杂活性层的制备：根据我们的工艺条件，抗反射膜的厚度h 选取为230 nm左右，为了压焊引线，再次经过光刻、显影、腐蚀形成面积为75μm ×75μm 的压焊区， 最后，探测器芯片经划片、烧结、键合、封装、老化等后道工序完成探测器的整个制备工艺。