[发明专利]一种减少直拉单晶硅内部微气孔密度的方法有效
| 申请号： | 201310660098.9 | 申请日： | 2013-12-09 |
| 公开（公告）号： | CN104711674A | 公开（公告）日： | 2015-06-17 |
| 发明（设计）人： | 方峰;王学锋;邓德辉;郑沉;曾泽红;高朝阳 | 申请（专利权）人： | 有研新材料股份有限公司;有研半导体材料有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/06 | 分类号： | C30B29/06;C30B15/20 |
| 代理公司： | 北京北新智诚知识产权代理有限公司 11100 | 代理人： | 刘秀青;熊国裕 |
| 地址： | 100088 *** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种减少直拉单晶硅内部微气孔密度的方法，在直拉法生长硅单晶的过程中，使浸入硅熔体的籽晶向上提起时在结晶前沿进行周期性振荡操作，所述振荡操作包括垂直向上提拉的过程和垂直向下跌落的过程；垂直向上提拉的速度Vp大于垂直向下跌落的速度Vg。本发明基于空洞类型缺陷的形成原理，在结晶前沿产生一个周期性的振荡力，使得局部熔体产生周期性振荡，阻止微气泡靠近结晶前沿，从而阻止了微气泡进入硅晶体内部。本发明在整个硅单晶棒生产过程中实施，可以有效减少直拉单晶硅内部微气孔密度，降低抛光晶圆的Pit、LLPD等表面缺陷。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 减少 单晶硅 内部 气孔 密度 方法 | ||
【主权项】：
一种减少直拉单晶硅内部微气孔密度的方法，其特征在于，在直拉法生长硅单晶的过程中，使浸入硅熔体的籽晶向上提起时在结晶前沿进行周期性振荡操作，所述振荡操作包括垂直向上提拉的过程和垂直向下跌落的过程；垂直向上提拉的速度Vp大于垂直向下跌落的速度Vg。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于有研新材料股份有限公司;有研半导体材料有限公司;，未经有研新材料股份有限公司;有研半导体材料有限公司;许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201310660098.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：单晶炉夹取装置
- 下一篇：一种多晶硅铸锭的制备方法
