[发明专利]一种减少直拉单晶硅内部微气孔密度的方法

权利要求书

1.一种减少直拉单晶硅内部微气孔密度的方法，其特征在于，在直拉法生长硅单晶的过程中，使浸入硅熔体的籽晶向上提起时在结晶前沿进行周期性振荡操作，所述振荡操作包括垂直向上提拉的过程和垂直向下跌落的过程；垂直向上提拉的速度Vp大于垂直向下跌落的速度Vg。

2.根据权利要求1所述的减少直拉单晶硅内部微气孔密度的方法，其特征在于，所述垂直向下跌落的速度Vg为垂直向上提拉的速度Vp的15～90％。

3.根据权利要求1或2所述的减少直拉单晶硅内部微气孔密度的方法，其特征在于，所述周期性振荡操作为垂直向下跌落的过程与垂直向上提拉的过程交替进行。

4.根据权利要求3所述的减少直拉单晶硅内部微气孔密度的方法，其特征在于，所述振荡操作的周期为垂直向下跌落的时间t1与垂直向上提拉的时间t2之和，t1+t2=10～60s。

5.根据权利要求3所述的减少直拉单晶硅内部微气孔密度的方法，其特征在于，所述振荡操作的频率为垂直向下跌落的时间t1与垂直向上提拉的时间t2的比值t1／t2=1／9～1／59。