[发明专利]晶体管的形成方法有效
| 申请号： | 201310654694.6 | 申请日： | 2013-12-05 |
| 公开（公告）号： | CN104701150B | 公开（公告）日： | 2018-08-10 |
| 发明（设计）人： | 张城龙;张海洋 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种晶体管的形成方法，包括：提供衬底；形成位于所述衬底中的源极、漏极以及位于所述衬底上的栅极；在所述衬底以及所述源极、漏极和栅极上覆盖介质层；在所述介质层中光刻形成第一接触孔，所述第一接触孔连接源漏极，在源漏极表面设置接触层，在所述第一接触孔内壁及所述接触层表面覆盖保护层，在所述介质层上形成有机抗蚀剂层，之后光刻形成第二接触孔，所述第二接触孔露出栅极；去除第一接触孔底部的保护层;在所述第一接触孔、第二接触孔内形成导电插塞。在所述接触层表面覆盖的保护层可以有效保护接触层，使接触层在第二接触孔的光刻、清洗及去除有机抗蚀剂层过程后保持良好的形貌，提高晶体管的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 接触孔 接触层 衬底 保护层 晶体管 光刻 漏极 有机抗蚀剂 表面覆盖 介质层 去除 源极 形貌 覆盖介质层 接触孔内壁 表面设置 导电插塞 连接源 源漏极 清洗 | ||
【主权项】：
1.一种晶体管的形成方法，其特征在于，包括：提供衬底；形成位于所述衬底中的源极、漏极以及位于所述衬底上的栅极；在所述衬底以及所述源极、漏极和栅极上覆盖介质层；在所述介质层中形成第一接触孔，使所述第一接触孔露出源极、漏极；在所述第一接触孔底部形成接触层；在所述第一接触孔内壁及所述接触层表面覆盖保护层；在所述第一接触孔内及所述介质层表面形成有机抗蚀剂层；在所述介质层中形成第二接触孔，使所述第二接触孔露出栅极；去除第一接触孔底部的保护层；在所述第一接触孔、第二接触孔内形成导电插塞。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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