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[发明专利]改善层间介质层研磨返工工艺的方法-CN201410163486.0无效
发明人：徐莹;罗飞;周维 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2014-04-22 - 公布日： 2014-08-06 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提供一种改善层间介质层研磨后返工工艺的方法，用于对层间介质层研磨后的半导体衬底进行返工，所述层间介质层被过量研磨，所述层间介质层具有目标厚度，包括：测量所述层间介质层的实际厚度；根据所述层间介质层的实际厚度与所述层间介质层的目标厚度的差异，获得补偿膜层的厚度，所述补偿膜层用于覆盖所述层间介质层的表面；获得覆盖膜层的目标厚度，所述覆盖膜用于覆盖所述补偿膜层的表面；根据所述补偿膜层与所述覆盖膜层的厚度之和，进行一次沉积工艺，形成所述补偿膜层和覆盖膜层本发明减少了等离子体增强化学气相沉积工艺给下方的层间介质层带来的损伤，减少了研磨误差带来的器件性能漂移。
改善介质研磨返工工艺方法

[发明专利]一种介质滤波器以及通信设备-CN202111234366.1在审
发明人：袁本贵;夏磊 -专利权人：上海华为技术有限公司
申请日： 2021-10-22 - 公布日： 2023-04-25 - 主分类号： H01P1/20 文献下载
摘要：本申请公开了一种介质滤波器以及通信设备，有效降低了介质滤波器的损耗。该介质滤波器包括介质块、介质层以及金属层。在该介质滤波器中，介质层的介电常数小于介质块的介电常数，并且介质块的至少一个表面被介质层覆盖，介质层的表面以及未被所述介质层覆盖的介质块的表面被金属层覆盖。
一种介质滤波器以及通信设备

[发明专利]PID测试结构及半导体测试结构-CN202010264453.0在审
发明人：刘志拯 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2020-04-07 - 公布日： 2021-10-12 - 主分类号： H01L23/544 文献下载
摘要：本发明涉及一种PID测试结构及半导体测试结构，包括：栅极结构，包括栅极层；覆盖介质层，位于栅极层的表面；金属层结构，位于覆盖介质层的表面；金属层结构包括至少一层金属层；引出电极，经由导电结构与栅极层电连接上述PID测试结构中以栅极结构顶部的覆盖介质层为测试对象，由于覆盖介质层的厚度不会对器件性能造成影响，可以根据需要设定覆盖介质层的厚度，设计的选择性更多；且覆盖介质层对游离电荷具有较强的捕获能力，可以确保
pid 测试结构半导体

[发明专利]双镶嵌结构及其制造方法-CN200610026758.8无效
发明人：陈玉文 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2006-05-22 - 公布日： 2007-11-28 - 主分类号： H01L23/522 文献下载
摘要：该双镶嵌结构具有金属间介质层，覆盖于金属间介质层上的掩埋覆盖层以及形成于所述金属间介质层和掩埋覆盖层中的通孔和沟槽。本发明的制造方法为先在具有金属图案的衬底上覆盖刻蚀停止层，在刻蚀停止层上覆盖金属间介质层，在所述金属间介质层形成掩埋覆盖层。并通过光刻刻蚀出沉积金属所需的沟槽和通孔，其中掩埋覆盖层保护金属间介质层表面在化学机械研磨和等离子体移除光致抗蚀剂过程中不受损伤，并提高器件的可靠性。
镶嵌结构及其制造方法

[发明专利]半导体结构的形成方法-CN201510541058.1有效
发明人：周飞 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
申请日： 2015-08-28 - 公布日： 2019-08-27 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：一种半导体结构的形成方法，包括：提供衬底，衬底表面具有鳍部；在衬底表面、以及鳍部的侧壁和顶部表面形成掺杂层，掺杂层内具有掺杂离子；在掺杂层的部分表面形成前驱介质膜，前驱介质膜覆盖位于衬底表面的掺杂层表面、以及位于鳍部侧壁的掺杂层表面；在前驱介质膜表面和鳍部的顶部形成覆盖介质层，覆盖介质层的密度大于前驱介质膜；去除覆盖介质层和部分前驱介质膜，形成前驱介质层，前驱介质层的表面低于鳍部的顶部表面，且前驱介质层暴露出部分掺杂层；去除高于前驱介质层表面的掺杂层；进行退火工艺，使前驱介质层固化形成介质层，并使掺杂层内的掺杂离子扩散入鳍部内。
半导体结构形成方法

[实用新型]基于左手材料的去互耦天线阵-CN201420176750.X有效
发明人：孙冉冉;孙绪保;姜琳;刘树国;张亚莉;申雪雪 -专利权人：山东科技大学
申请日： 2014-04-11 - 公布日： 2014-08-27 - 主分类号： H01Q1/38 文献下载
摘要：本实用新型涉及微带天线阵技术领域，具体涉及一种基于左手材料的去互耦天线阵，左手材料覆盖层和天线阵层分别设于中间介质层两侧；左手材料覆盖层由上覆盖层，左手材料介质层和下覆盖层组成，上、下覆盖层之间设置左手材料介质层，下覆盖层与中间介质层相接触，天线阵层由金属贴片层、天线电介质层和金属地板层组成，金属贴片层与中间介质层相接触，天线电介质层设于金属贴片层和金属地板层之间。本实用新型采用平面微带线结构，适于集成批量加工，基本单元I、II分别作为天线阵的上覆盖层和下覆盖层，增加了天线增益、改善了方向性，同时也减小了天线的尺寸；由于左手材料的作用，抑制了天线阵的表面波，减小了阵元之间的互耦
基于左手材料去互耦天线阵

[发明专利]在半导体器件的双镶嵌结构中降低接触电阻的方法和结构-CN200410066664.4有效
发明人：宁先捷 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2004-09-21 - 公布日： 2006-03-29 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：该结构包括衬底，覆盖衬底上的电介质层，和覆盖电介质层上的金属互连。围绕着金属互连形成第一中间电介质层。第二中间电介质层覆盖在第一中间电介质层上。在第二中间电介质层的上部内形成沟槽开口。第一阻挡层位于沟槽开口内并覆盖在沟槽开口上。介层洞空隙位于所述第二中间电介质层的下部内。第二中间电介质层下部耦合到第二中间电介质层上部。第二阻挡层设在介层洞空隙的空隙内，并覆盖在介层洞空隙的空隙上以及第一阻挡层上。第二阻挡的定向的部分或全部移除形成了低接触阻抗结构。铜材料被形成覆盖在第一阻挡层和第二阻挡层上，以基本填充第二中间电介质层内的介层洞空隙和沟槽。
半导体器件镶嵌结构降低接触电阻方法

[发明专利]介质波导谐振器及其端口耦合量调节方法与滤波器-CN201910764835.7有效
发明人：欧阳洲;丁海;林显添 -专利权人：京信通信技术（广州）有限公司
申请日： 2019-08-19 - 公布日： 2021-03-12 - 主分类号： H01P7/10 文献下载
摘要：本发明涉及一种介质波导谐振器及其端口耦合量调节方法与滤波器，介质波导谐振器包括介质块。第一金属层与第二金属层之间设有露出介质块的镂空区。镂空区绕第一金属层的外围周向设置。第一金属层包括第一覆盖层、第二覆盖层及连接层。第一覆盖层覆盖于介质块的底面，第二覆盖层覆盖于介质块的侧面。上述的介质波导谐振器，由于第一覆盖层覆盖于所述介质块的底面，可以实现端口强耦合，为拓宽介质波导谐振器的带宽提供了条件，可以广泛应用到带宽较宽的介质波导谐振器中；此外，由于第二覆盖层位于介质块的侧面，且第二覆盖层用于连接同轴接头或
介质波导谐振器及其端口耦合调节方法滤波器

[实用新型]一种无基板集成天线封装结构-CN201922141334.1有效
发明人：李君;陈峰;曹立强 -专利权人：上海先方半导体有限公司;华进半导体封装先导技术研发中心有限公司
申请日： 2019-12-04 - 公布日： 2020-06-02 - 主分类号： H01L23/66 文献下载
摘要：本实用新型提供一种无基板集成天线封装结构，包括：嵌入或附着于第一塑封层表面的天线层；具有芯片焊球的芯片；一个或多个第一金属柱；第一介质层，覆盖第一塑封层远离天线层一侧的表面；第一金属层，形成于第一介质层表面，与第一金属柱电连接；第二介质层，覆盖第一金属层的表面和间隙；第二塑封层，覆盖第二介质层表面，并包覆芯片和第一金属柱；第三介质层，覆盖于第二塑封层表面；第二金属层，形成于第二介质层表面，与第一金属柱及芯片电连接；第四介质层，覆盖第二金属层的表面和间隙；以及外接焊球，电连接至第二金属层。
一种无基板集成天线封装结构

[实用新型]一种屏蔽膜天线结构-CN202122859333.8有效
发明人：齐伟;潘丽;蒋茂平 -专利权人：安捷利（番禺）电子实业有限公司
申请日： 2021-11-19 - 公布日： 2022-07-01 - 主分类号： H01Q1/36 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种屏蔽膜天线结构，包括线路板，所述线路板包括介质层、覆盖膜、金属层和屏蔽膜；所述金属层分别设于所述介质层、覆盖膜的相对设置的表面，以及所述介质层、覆盖膜之间；所述屏蔽膜覆盖于处于所述金属层、覆盖膜之间。利用屏蔽膜作为上层辐射体，屏蔽膜盖在覆盖膜上，从而可以减小一层叠加层，节省了一层FCCL，可以减小加工的复杂程度，同时由于屏蔽膜自带很薄的保护膜，从而减少覆盖膜的厚度，可以提高微带天线的介质层的厚度，从而提升天线的带宽性能
一种屏蔽天线结构

[发明专利]GAA晶体管及其形成方法-CN202110722184.2在审
发明人：金吉松 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2021-06-28 - 公布日： 2023-01-13 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：一种GAA晶体管及其形成方法，形成方法包括：提供基底，包括衬底和凸立于衬底的底部鳍部，基底上形成有悬置于底部鳍部上方的沟道层结构，沟道层结构包括一个或多个相间隔的沟道层，基底上还形成有层间介质层，层间介质层中形成有横跨沟道层结构的栅极开口，栅极开口露出沟道层结构的侧壁和顶部；在栅极开口中形成环绕覆盖沟道层的栅介质层，栅介质层还覆盖栅极开口的侧壁、以及栅极开口露出的基底顶部；在栅介质层上形成覆盖底部鳍部顶部的隔绝层，隔绝层的顶部低于沟道层结构中最底部的沟道层底部；形成隔绝层后，在栅极开口中形成栅极层，栅极层环绕覆盖栅介质层，栅极层还覆盖隔绝层。在沟道层开启的过程中，底部鳍部较难开启。
gaa 晶体管及其形成方法

[发明专利]一种连接孔的形成方法-CN201510198903.X在审
发明人：鲍宇;黄秋铭 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2015-04-22 - 公布日： 2015-07-15 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明提供了一种连接孔的形成方法，包括：在半导体器件衬底上沉积介质层；在介质层上沉积覆盖层；经光刻和刻蚀工艺，在覆盖层和介质层中刻蚀出连接孔；采用湿法清洗工艺去除刻蚀残留物，同时，覆盖层中连接孔的侧壁被刻蚀，从而使覆盖层中连接孔的开口增大；对覆盖层的刻蚀速率大于对介质层的刻蚀速率；向覆盖层和介质层中的连接孔中沉积刻蚀阻挡层，然后填充金属；进行平坦化工艺，将覆盖层、及覆盖层中的填充金属去除。因此，不仅确保了介质层中连接孔的尺寸不发生改变，还扩大了后续金属填充工艺窗口，提高了金属填充能力，克服了现有的金属填充困难的弊端。
一种连接形成方法

[发明专利]一种强局域、低损耗的杂化表面等离子体波导-CN201810473556.0在审
发明人：吕柳;胡素素;曾玮琪;徐健 -专利权人：江苏大学
申请日： 2018-05-17 - 公布日： 2018-11-16 - 主分类号： G02B6/122 文献下载
摘要：本发明涉及一种强局域、低损耗的杂化表面等离子体波导，从上到下依次由高折射率介质覆盖层、低折射率介质覆盖层、金属条层和衬底组成，所述金属条层为两块，所述低折射率介质覆盖层为T形，所述低折射率介质覆盖层包括第一低折射率介质覆盖层和第二低折射率介质覆盖层，所述第二低折射率介质覆盖层的两侧分别与所述金属条层贴合，所述第一低折射率介质覆盖层上方与所述高折射率介质覆盖层贴合，所述金属条层、所述第二低折射率介质覆盖层下方与所述衬底贴合。
覆盖层低折射率介质金属条层贴合表面等离子体波导高折射率介质低损耗衬底杂化从上到下光场能量能量损耗传统的金属

[发明专利]有高介电常数的电介质和厚电极的电容器及其制造方法-CN03128447.7无效
发明人：山口弘 -专利权人：恩益禧电子股份有限公司
申请日： 1998-05-28 - 公布日： 2004-07-28 - 主分类号： H01L27/108 文献下载
摘要：提供一种有高介电常数的电介质和厚的下电极的电容器，使漏导电流减小。厚的下电极形成在层间绝缘层上。通常，层间绝缘层形成在半导体衬底上。下电极有顶面、底面和侧面，顶面与层间绝缘层相对。下电极顶面上形成与其接触的绝缘帽或覆盖层。绝缘帽或覆盖层覆盖下电极顶面，不覆盖下电极侧面。形成覆盖下电极和绝缘帽或覆盖层的电容器介质层。电容器介质层与绝缘帽或覆盖层和下电极的侧面接触。电容器介质层上形成与其接触的上电极。电容器介质层夹在上下电极之间以构成电容器结构。层间绝缘层的一部分的厚度比其余部分的厚度厚。
介电常数电介质电极电容器及其制造方法

[发明专利]相变存储器的制备方法-CN201610240350.4有效
发明人：伏广才;李志超;周耀辉 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2016-04-18 - 公布日： 2019-11-26 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明的相变存储器的制备方法，包括：提供半导体衬底，半导体衬底的表面包括第一介质层及位于第一介质层中、用于引出电极的连接塞；沉积第二介质层，第二介质层覆盖第一介质层以及连接塞；去除部分连接塞及部分第一介质层上的第二介质层，形成沟槽；沉积覆盖沟槽的底壁、沟槽的侧壁及第二介质层的底部接触电极，沉积位于沟槽内并覆盖底部接触电极的外延层和位于沟槽内并覆盖外延层的第三介质层；去除沟槽中的第一介质层上的底部接触电极、外延层及第三介质层，随后沉积第四介质层以填满沟槽；依次沉积相变材料层和顶部接触电极，相变材料层及顶部接触电极依次覆盖底部接触电极。
相变存储器制备方法

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