[发明专利]晶体管的形成方法

说明书

本发明提供一种晶体管的形成方法，包括：提供衬底；形成位于所述衬底中的源极、漏极以及位于所述衬底上的栅极；在所述衬底以及所述源极、漏极和栅极上覆盖介质层；在所述介质层中光刻形成第一接触孔，所述第一接触孔连接源漏极，在源漏极表面设置接触层，在所述第一接触孔内壁及所述接触层表面覆盖保护层，在所述介质层上形成有机抗蚀剂层，之后光刻形成第二接触孔，所述第二接触孔露出栅极；去除第一接触孔底部的保护层;在所述第一接触孔、第二接触孔内形成导电插塞。在所述接触层表面覆盖的保护层可以有效保护接触层，使接触层在第二接触孔的光刻、清洗及去除有机抗蚀剂层过程后保持良好的形貌，提高晶体管的性能。

技术领域

本发明涉及本发明涉及半导体领域，具体涉及一种晶体管的形成方法。

背景技术

多个MOS晶体管之间相互连接时，通常通过在单个MOS晶体管的源极、漏极以及栅极上生长一层绝缘的层间介质层，并在所述层间介质层与所述源极、漏极以及栅极对应的位置上开设接触孔（Contact Hole），使所述源极、漏极的一部分露出，然后在所述接触孔内填充导电材料以形成导电插塞，所述导电插塞与其他MOS晶体管的源极、漏极连接，进而实现多个MOS晶体管之间的互连。

但是，所述导电插塞与所述源极、漏极之间的导电性能并不理想。而所述导电性能与所述金属导电插塞的接触电阻直接相关，为了减小所述接触电阻，进而改善导电性能，通常需要在形成所述金属导电插塞之前，在所述接触孔内的源极、漏极以及栅极的露出部分的表面上预先形成一层接触层。

现有的形成所述接触层的方法为，通过沉积的方式，在所述接触孔中形成一层金属，并通过退火处理，使所述金属层与源极、漏极露出部分的表面反应，以形成硅化物（Silicide）。所述硅化物为接触层，能够有效降低源极、漏极与所述金属导电插塞之间的接触电阻。

在目前的比较常用的高K介质层/金属栅极工艺中，金属栅极上方不形成接触层，由于半导体特征尺寸不断减小，一般需要进行多次接触孔的刻蚀，通常是先进行第一次光刻形成源漏接触孔，再形成源漏接触孔底部的接触层，再进行第二次光刻，形成栅极接触孔。

然而现有技术形成接触孔的方法容易造成硅化物的损伤。

发明内容

本发明解决的问题提供一种晶体管的形成方法，减少接触孔内硅化物受到损伤的问题，提高晶体管的性能。

为解决上述问题，本发明提供一种晶体管的形成方法，包括：

提供衬底；

形成位于所述衬底中的源极、漏极以及位于所述衬底上的栅极；

在所述衬底以及所述源极、漏极和栅极上覆盖介质层；

在所述介质层中形成第一接触孔，使所述第一接触孔露出源极、漏极；

在所述第一接触孔底部形成接触层；

在所述第一接触孔内壁及所述接触层表面覆盖保护层；

在所述介质层中形成第二接触孔，使所述第二接触孔露出栅极；

去除第一接触孔底部的保护层；

在所述第一接触孔、第二接触孔内形成导电插塞。

可选的，所述衬底为硅衬底，形成所述源极、漏极的步骤包括：

在所述硅衬底中源极、漏极的对应位置处形成凹槽；

在所述凹槽中填充锗硅材料，以形成所述源极、漏极。

可选的，形成所述接触层的步骤包括：形成的接触层为硅化物接触层。

可选的，形成所述保护层的步骤包括：采用原子层沉积法形成所述保护层。