[发明专利]薄膜晶体管阵列基板及其制造方法

摘要

本申请提供了一种薄膜晶体管阵列基板及其制造方法，薄膜晶体管阵列基板包括形成在基板上的选通线和数据线，选通线和数据线彼此交叉；形成在选通线和数据线之间的栅绝缘膜；形成在选通线和数据线的交叉处的栅电极；有源层，其形成在栅绝缘膜上以与栅电极交叠；蚀刻停止层，其形成在有源层上，以限定有源层的沟道区；以及源电极和漏电极，其形成在有源层上以与所述有源层部分交叠。蚀刻停止层位于源电极和漏电极之间，源电极和漏电极与蚀刻停止层间隔开。

主权项

一种薄膜晶体管阵列基板，所述薄膜晶体管阵列基板包括：形成在基板上的选通线和数据线，所述选通线和所述数据线彼此交叉；形成在所述选通线和所述数据线之间的栅绝缘膜；形成在所述选通线和所述数据线的交叉处的栅电极；有源层，其形成在所述栅绝缘膜上以与所述栅电极交叠，其中，所述有源层形成为平面结构并且没有阶梯高度；蚀刻停止层，其形成在所述有源层上，以限定所述有源层的沟道区；以及源电极和漏电极，其形成在所述有源层上以与所述有源层部分地交叠，其中，所述源电极和所述漏电极与所述蚀刻停止层形成在同一层中，并且不与所述蚀刻停止层交叠，其中，所述蚀刻停止层位于所述源电极和所述漏电极之间，所述源电极和所述漏电极与所述蚀刻停止层间隔开，其中，所述源电极和所述漏电极分别包括顺序叠置的第一源电极层和第二源电极层以及第一漏电极层和第二漏电极层，其中，所述第二源电极层和所述第二漏电极层是通过对形成在设置有所述蚀刻停止层的所述基板的整个表面上的屏障层上的金属层进行湿蚀刻而形成的，其中，所述第一源电极层和所述第一漏电极层是通过将所述第二源电极层和所述第二漏电极层用作蚀刻掩膜对所述屏障层进行干蚀刻而形成的，其中，所述源电极形成为U形，并且包括从所述数据线突出的第一部分和第二部分以及与所述数据线的一部分对应的第三部分，所述源电极的所述第一部分至所述第三部分中的至少一个不与所述栅电极交叠，并且其中，所述漏电极以被插入到U形的所述源电极的方式形成。