[发明专利]一种双晶片覆晶结构在审

专利信息
申请号: 201310650385.1 申请日: 2013-12-06
公开(公告)号: CN104701305A 公开(公告)日: 2015-06-10
发明(设计)人: 李一男;程玉华 申请(专利权)人: 上海北京大学微电子研究院
主分类号: H01L25/00 分类号: H01L25/00;H01L23/31;H01L23/13;H01L23/367
代理公司: 代理人:
地址: 201203 *** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明以覆晶封装结构为出发点,提出一种双晶片覆晶封装结构。其特点是:基板为具有两个晶片插槽的基板,基板具有中央隔板,基板插槽具有一定坡度,插槽斜坡与芯片导电凸块接触处有复数个半球形凹槽;芯片具有复数个圆柱形导电凸块,导电凸块顶部为半球形;上层散热片与基板顶部相扣。这种双晶片覆晶封装结构的优点在于:芯片焊接自对准,实现双晶片一体化封装,集成度高,减小芯片封装面积,增强散热功能。
搜索关键词: 一种 双晶 片覆晶 结构
【主权项】:
一种双晶片覆晶封装结构包括:基板、芯片、填充物、散热片;其特征在于,所述基板具有中央隔板,并且具有两个对称的芯片插槽,所述基板芯片插槽具有一定坡度,所述插槽底部复数个与导电凸块对接的半球形凹陷。
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