[发明专利]半导体器件及其形成方法

摘要

一种半导体器件及其形成方法，其中半导体器件的形成方法，包括：提供半导体衬底以及伪栅极结构；刻蚀伪栅极结构两侧的半导体衬底，形成第一凹槽；形成填充满第一凹槽的第一应力层；刻蚀去除伪栅极结构、以及部分厚度的半导体衬底，在半导体衬底内形成第二凹槽；形成填充第二凹槽的第二应力层，第二应力层与第一应力层的应力类型相反，第二应力层顶部低于半导体衬底表面；形成填充满第二凹槽的本征材料层，本征材料层位于第二应力层表面；在本征材料层表面形成栅极结构，所述栅极结构包括栅介质层和栅导电层。本发明提高了半导体器件沟道区载流子迁移率，优化了半导体器件的运行速度，改善半导体器件的电学性能。

主权项

一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底表面形成有伪栅极结构；刻蚀所述伪栅极结构两侧的半导体衬底，形成第一凹槽；形成填充满所述第一凹槽的第一应力层；刻蚀去除所述伪栅极结构、以及位于伪栅极结构底部的部分厚度的半导体衬底，在所述半导体衬底内形成第二凹槽；形成填充所述第二凹槽的第二应力层，所述第二应力层与第一应力层的应力类型相反，所述第二应力层顶部低于半导体衬底表面；形成填充满所述第二凹槽的本征材料层，所述本征材料层位于第二应力层表面；在所述本征材料层表面形成栅极结构，所述栅极结构包括位于所述本征材料层表面的栅介质层、以及位于栅介质层表面的栅导电层。