[发明专利]一种高隔离性的n型LDMOS器件及其制造方法

摘要

本申请公开了一种高隔离性的n型LDMOS器件。在p型硅衬底中具有深n阱、轻掺杂n阱和轻掺杂p阱一。在深n阱中具有轻掺杂p阱二；在轻掺杂p阱二中具有重掺杂p阱二和重掺杂n阱一；在重掺杂p阱二中具有n型重掺杂的源极和体区引出区；在重掺杂n阱一中具有漏极；在部分的重掺杂p阱二和部分的重掺杂n阱一之上具有栅氧化层；在栅氧化层和紧邻的部分隔离结构四之上具有多晶硅栅极。在轻掺杂p阱一中具有重掺杂p阱一；在重掺杂p阱一中具有衬底引出区。在轻掺杂n阱中具有重掺杂n阱二；在重掺杂n阱二中具有保护环引出区。在硅材料的表面具有多个隔离结构。本申请可以实现体区与衬底、衬底与保护环、漏极与保护环的良好电学隔离。

主权项

一种高隔离性的n型LDMOS器件，其特征是，在p型轻掺杂的硅衬底或外延层中具有轻掺杂的深n阱、轻掺杂n阱和轻掺杂p阱一；环形的轻掺杂n阱包围在深n阱的外侧；环形的轻掺杂p阱一包围在轻掺杂n阱的外侧；在深n阱中具有轻掺杂p阱二；在轻掺杂p阱二中具有重掺杂n阱一和环形的重掺杂p阱二；在重掺杂p阱二中具有n型重掺杂的源极和环形的p型重掺杂的体区引出区；在重掺杂n阱一中具有n型重掺杂的漏极；在部分的重掺杂p阱二和部分的重掺杂n阱一之上具有栅氧化层；在栅氧化层和紧邻的部分隔离结构四之上具有多晶硅栅极；在轻掺杂p阱一中具有环形的重掺杂p阱一；在重掺杂p阱一中具有环形的p型重掺杂衬底引出区；在轻掺杂n阱中具有环形的重掺杂n阱二；在重掺杂n阱二中具有环形的n型重掺杂的保护环引出区；在硅材料的表面具有多个隔离结构；环形的隔离结构一包围在衬底引出区的外侧；环形的隔离结构二位于衬底引出区和保护环引出区之间；环形的隔离结构三位于保护环引出区和体区引出区之间；隔离结构四位于重掺杂n阱一中，且位于多晶硅栅极和漏极之间；隔离结构五位于漏极和体区引出区之间。