[发明专利]一种薄膜晶体管、阵列基板及其制备方法、显示装置有效
| 申请号： | 201310638289.5 | 申请日： | 2013-12-02 |
| 公开（公告）号： | CN103646966A | 公开（公告）日： | 2014-03-19 |
| 发明（设计）人： | 宁策 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L27/12;G02F1/1368;H01L21/77 |
| 代理公司： | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人： | 申健 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明实施例提供了一种薄膜晶体管、阵列基板及其制备方法、显示装置，涉及显示技术领域，可防止金属原子例如铜原子扩散以保证薄膜晶体管的性能，并可避免构图工艺次数的增加；该薄膜晶体管包括设置在衬底基板上的栅电极、栅绝缘层、半导体有源层、源电极和漏电极、以及保护层，还包括设置在源电极和漏电极与金属氧化物半导体有源层之间、并与源电极和漏电极分别对应且直接接触的第一透明电极和第二透明电极；其中，第一透明电极通过设置在保护层上的第一过孔与金属氧化物半导体有源层相接触，第二透明电极通过设置在保护层上的第二过孔与金属氧化物半导体有源层相接触；用于显示装置的制造。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 薄膜晶体管 阵列 及其 制备 方法 显示装置 | ||
【主权项】：
一种薄膜晶体管，包括设置在衬底基板上的栅电极、栅绝缘层、半导体有源层、源电极和漏电极、以及保护层；其特征在于，所述薄膜晶体管还包括：设置在所述源电极和所述漏电极与所述半导体有源层之间、并与所述源电极和所述漏电极分别对应且直接接触的第一透明电极和第二透明电极；其中，所述第一透明电极通过设置在所述保护层上的第一过孔与所述半导体有源层相接触，所述第二透明电极通过设置在所述保护层上的第二过孔与所述半导体有源层相接触。
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