[发明专利]一种提高沟槽型VDMOS器件栅氧化层击穿电压的方法在审
| 申请号： | 201310636567.3 | 申请日： | 2013-11-27 |
| 公开（公告）号： | CN104681444A | 公开（公告）日： | 2015-06-03 |
| 发明（设计）人： | 赵圣哲 | 申请（专利权）人： | 北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 刘芳 |
| 地址： | 100871 北京市海*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种提高沟槽型VDMOS器件栅氧化层击穿电压的方法，包括如下步骤：提供具有外延层的硅衬底；在所述硅衬底的外延层上形成初始氧化层；光刻、刻蚀，在所述初始氧化层上形成有源区图形；注入离子，在所述有源区图形下方的外延层内部形成有源区；光刻，并依次进行湿法刻蚀和干法刻蚀，在所述初始氧化层上形成环区图形和栅极图形，在所述环区图形和所述栅极图形上方残留有初始氧化层；注入离子，在所述环区图形下方的外延层内部形成环区；在所述栅极图形上方形成栅极。本发明方法能够有效保护栅氧化层下方的外延层表面免受刻蚀和注入等工艺造成的损伤，从而显著提高了栅氧化层的击穿电压，有效改善了IGSS失效比例。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 提高 沟槽 vdmos 器件 氧化 击穿 电压 方法 | ||
【主权项】：
一种提高沟槽型VDMOS器件栅氧化层击穿电压的方法，其特征在于，包括如下步骤：提供具有外延层的硅衬底；在所述硅衬底的外延层上形成初始氧化层；光刻、刻蚀，在所述初始氧化层上形成有源区图形；注入离子，在所述有源区图形下方的外延层内部形成有源区；光刻，并依次进行湿法刻蚀和干法刻蚀，在所述初始氧化层上形成环区图形和栅极图形，在所述环区图形和所述栅极图形上方残留有初始氧化层；注入离子，在所述环区图形下方的外延层内部形成环区；在所述栅极图形上方形成栅极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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