[发明专利]一种制作半导体器件的方法在审
| 申请号： | 201310631755.7 | 申请日： | 2013-11-29 |
| 公开（公告）号： | CN104681443A | 公开（公告）日： | 2015-06-03 |
| 发明（设计）人： | 韦庆松;于书坤;涂火金 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 董巍;高伟 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种制作半导体器件的方法，涉及半导体技术领域。该方法在刻蚀形成Σ形沟槽之后、形成锗硅层之前，增加了对伪栅极硬掩膜和临时侧墙的表面进行原位预清洗的步骤，使得在刻蚀形成Σ形沟槽的过程中在伪栅极硬掩膜和临时侧墙的表面产生的硅残留物在沉积锗硅的工艺之前被去除，有效避免了硅残留物给后续工艺带来不良影响，提高了半导体器件的性能和良率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 制作 半导体器件 方法 | ||
【主权项】：
一种制作半导体器件的方法，其特征在于，所述方法包括：步骤S101：提供形成有PMOS的伪栅极、伪栅极硬掩膜以及偏移侧壁的半导体衬底，在所述半导体衬底上形成锗硅遮蔽层，对所述PMOS的源极区域和漏极区域进行刻蚀以在所述半导体衬底上形成碗状沟槽，其中，所述锗硅遮蔽层覆盖所述偏移侧壁的部分同时被刻蚀而形成位于所述偏移侧壁外侧的临时侧墙；步骤S102：进行湿法刻蚀以在所述碗状沟槽的基础上形成Σ形沟槽；步骤S103：对所述伪栅极硬掩膜和所述临时侧墙进行原位预清洗以去除所述伪栅极硬掩膜和所述临时侧墙表面的硅残留物；步骤S104：在所述Σ形沟槽内形成锗硅层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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