[发明专利]一种制作半导体器件的方法

权利要求书

1.一种制作半导体器件的方法，其特征在于，所述方法包括：

步骤S101：提供形成有PMOS的伪栅极、伪栅极硬掩膜以及偏移侧壁的半导体衬底，在所述半导体衬底上形成锗硅遮蔽层，对所述PMOS的源极区域和漏极区域进行刻蚀以在所述半导体衬底上形成碗状沟槽，其中，所述锗硅遮蔽层覆盖所述偏移侧壁的部分同时被刻蚀而形成位于所述偏移侧壁外侧的临时侧墙；

步骤S102：进行湿法刻蚀以在所述碗状沟槽的基础上形成Σ形沟槽；

步骤S103：对所述伪栅极硬掩膜和所述临时侧墙进行原位预清洗以去除所述伪栅极硬掩膜和所述临时侧墙表面的硅残留物；

步骤S104：在所述Σ形沟槽内形成锗硅层。

2.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，在所述步骤S102与所述步骤S103之间或者在所述步骤S103与所述步骤S104之间，还包括对所述Σ形沟槽进行预清洗以去除其表面的氧化物的步骤。

3.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述原位预清洗所采用的气体为氯化氢或者溴化氢，采用原位软干法刻蚀工艺执行所述原位预清洗步骤。

4.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，执行所述原位预清洗步骤和所述形成锗硅层的步骤在同一反应腔室内进行。

5.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，在所述步骤S102中，所述湿法刻蚀所采用的刻蚀液为有机碱或无机碱。

6.如权利要求5所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述无机碱为KOH、NaOH或NH₄OH。

7.如权利要求5所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述有机碱为TMAH或EDP。

8.如权利要求2所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，对所述Σ形沟槽进行预清洗所采用的清洗液为氢氟酸。

9.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，在所述步骤S104中，形成嵌入式锗硅层的方法为外延生长工艺。

10.如权利要求9所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述外延生长工艺为低压化学气相沉积、等离子体增强化学气相沉积、超高真空化学气相沉积、快速热化学气相沉积和分子束外延中的一种。

11.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，还包括在所述Σ形沟槽内形成锗硅层之后执行选择性外延硅工艺的步骤。

12.如权利要求11所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述选择性外延硅工艺的外延温度为500-800℃，压力为1-100乇。

13.如权利要求11所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述选择性外延硅工艺的反应气体为SiH₄或SiH₂Cl₂、HCl、B₂H₆混合气体，其中所述SiH₄或SiH₂Cl₂、B₂H₆、HCl的气体流量为1sccm-1000sccm。

14.如权利要求11所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述选择性外延硅工艺选用H₂作为反应载气，所述H₂的气体流量为0.1slm-50slm。