[发明专利]含有钌的衬垫/阻隔物的湿法活化有效
| 申请号： | 201310631530.1 | 申请日： | 2013-12-02 |
| 公开（公告）号： | CN103855082A | 公开（公告）日： | 2014-06-11 |
| 发明（设计）人： | 耶斯蒂·多蒂;德莱斯·迪克特斯 | 申请（专利权）人： | 朗姆研究公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;C23C18/18;C23C16/02 |
| 代理公司： | 上海胜康律师事务所 31263 | 代理人： | 李献忠 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了含有钌的衬垫/阻隔物的湿法活化，具体提供了用于制备用于金属沉积的含有钌的衬垫/阻隔物的方法和系统，其在集成电路的制造中是有用的。根据一实施方式，在应用中将具有pH大于12的硼氢化物溶液与去离子水混合，以形成预处理溶液。施加预处理溶液，以还原衬底的含钌表面。在含钌表面还原后，可以启动铜的沉积。 | ||
| 搜索关键词： | 含有 衬垫 阻隔 湿法 活化 | ||
【主权项】：
一种用于制备用于金属沉积的钌表面的湿法预处理方法，其包括：接收具有pH大于约12的硼氢化物溶液；接收去离子（DI）水；将所述硼氢化物溶液与所述去离子水混合，以形成预处理溶液；将所述预处理溶液施加到所述钌表面。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于朗姆研究公司，未经朗姆研究公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201310631530.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：可拆卸式嵌入照明装置
- 下一篇：照明装置
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
