[发明专利]含有钌的衬垫/阻隔物的湿法活化

权利要求书

1.一种用于制备用于金属沉积的钌表面的湿法预处理方法，其包括：

接收具有pH大于约12的硼氢化物溶液；

接收去离子（DI）水；

将所述硼氢化物溶液与所述去离子水混合，以形成预处理溶液；

将所述预处理溶液施加到所述钌表面。

2.根据权利要求1所述的方法，其还包括：

在施加所述预处理溶液之后，用去离子水冲洗所述钌表面。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，所述硼氢化物溶液包括选自由氢氧化钠、氢氧化钾、氢氧化铵、三甲基氢氧化铵和三乙基氢氧化铵组成的组中的碱。

4.根据权利要求3所述的方法，其中所述硼氢化物溶液具有大约等于所述碱的浓度的硼氢化物的浓度。

5.根据权利要求1所述的方法，其中所述硼氢化物溶液具有介于约0.5M至2.5M之间的硼氢化物的浓度。

6.根据权利要求1所述的方法，其中所述预处理溶液具有介于约50mM至约2500mM之间的硼氢化物的浓度。

7.根据权利要求1所述的方法，其中所述去离子水是具有小于约5ppb的氧浓度的脱气去离子水。

8.根据权利要求1所述的方法，其中使用所述方法来执行集成电路制备中的至少一个操作。

9.一种用于制备用于金属沉积的钌表面的湿法预处理方法，其包括：

将去离子水的流施加到钌表面上；

将硼氢化物溶液混合进入所述去离子水的流中，所述硼氢化物溶液在混合之前具有大于12的pH值；

在预定的时间段之后，停止所述将硼氢化物溶液混合进入所述去离子水的流中。

10.根据权利要求9所述的方法，

其中，所述将硼氢化物溶液混合进入所述去离子水的流中定义预处理操作;且

其中，所述停止所述将硼氢化物溶液混合进入所述去离子水的流中定义冲洗操作的起始。

11.根据权利要求9所述的方法，

其中，所述硼氢化物溶液包括选自由氢氧化钠、氢氧化钾、氢氧化铵、三甲基氢氧化铵、三乙基氢氧化铵组成的组中的碱。

12.根据权利要求11所述的方法，其中所述硼氢化物溶液具有大约等于所述碱的浓度的硼氢化物浓度。

13.根据权利要求9所述的方法，其中所述硼氢化物溶液具有介于约0.5M至2.5M之间的硼氢化物浓度。

14.根据权利要求9所述的方法，其中，所述将硼氢化物溶液混合进入所述去离子水的流中定义具有介于约50mM至约2500mM之间的硼氢化物浓度的预处理溶液。

15.根据权利要求9所述的方法，其中所述去离子水是具有小于约5ppb的氧浓度的脱气去离子水。

16.根据权利要求9所述的方法，其进一步包括，在所述停止所述将硼氢化物溶液混合进入所述去离子水的流中之后，将无电镀铜沉积溶液混合进入所述去离子水的流中。

17.根据权利要求9所述的方法，其中使用所述方法来执行集成电路制备中的至少一个操作。

18.一种制备晶片的钌表面的系统，其包括：

被配置成支撑所述晶片的反应室；

去离子水源；

导管，其用于将去离子水的流从所述去离子水源输送到所述反应室中以应用到所述晶片的所述钌表面上；

硼氢化物溶液的源，其包含具有pH值大于12的硼氢化物溶液；

混合器，其用于将从所述硼氢化物溶液的源来的所述硼氢化物溶液混合进入所述去离子水的流中。

19.根据权利要求18所述的系统，其中，所述硼氢化物溶液具有介于约0.5M至2.5M之间的硼氢化物浓度。

20.根据权利要求18所述的系统，其中，所述将硼氢化物溶液混合进入所述去离子水的流中定义具有介于约50mM至约2500mM之间的硼氢化物浓度的预处理溶液。

21.根据权利要求18所述的系统，其还包括控制器，所述控制器被配置为控制所述混合器以开始所述将硼氢化物溶液混合进入所述去离子水的流中并在预定时间段经过之后终止所述混合。