[发明专利]一种MEMS麦克风缺陷监控结构及其制造方法有效

专利信息
申请号: 201310630284.8 申请日: 2013-11-29
公开(公告)号: CN103607687B 公开(公告)日: 2018-10-16
发明(设计)人: 康晓旭;袁超;周炜捷 申请(专利权)人: 上海集成电路研发中心有限公司
主分类号: H04R29/00 分类号: H04R29/00;H04R31/00
代理公司: 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31275 代理人: 吴世华;林彦之
地址: 201210 上*** 国省代码: 上海;31
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明公开了一种MEMS麦克风监控结构,包括具有腔体的衬底;第一介质层,具有与腔体相通的通孔;下电极层,包括振动膜及与之相连的第一引出部;第二介质层;上电极层及绝缘层,绝缘层具有其中形成多个开孔的主体部,上电极层包括第二引出部以及在开孔下方形成的多个互不相连的朝向振动膜延伸的具有中空部的下凹结构,下凹结构与绝缘层的主体部构成背电极结构;下凹结构的截面为凹字形,其底部与振动膜平行,与振动膜形成多个平板电容;空气隙,形成于振动膜与背电极结构之间;以及释放孔,形成于背电极结构中,与空气隙及通孔连通。本发明能够方便地测量振动膜振动状态下不同区域的变形情况。
搜索关键词: 一种 mems 麦克风 缺陷 监控 结构 及其 制造 方法
【主权项】:
1.一种MEMS麦克风的缺陷监控结构,其特征在于,包括:衬底,其具有腔体;第一介质层,形成于所述衬底上表面,具有与所述腔体相通的通孔;下电极层,包括振动膜及与之相连的第一引出部,所述振动膜位于所述通孔的上方;第二介质层,位于所述振动膜以外区域的第一介质层和下电极层上方;依次位于所述第二介质层上的上电极层及绝缘层,所述绝缘层具有主体部,所述主体部中形成多个开孔,所述上电极层包括第二引出部以及在所述开孔下方形成的多个朝向所述振动膜延伸的具有中空部的下凹结构,所述下凹结构与所述绝缘层的主体部构成背电极结构;其中所述下凹结构的截面为凹字形,其底部与所述振动膜平行;所述多个下凹结构互不相连,且通过多个所述第二引出部分别引出;所述多个下凹结构的底部与所述振动膜形成多个平板电容;空气隙,形成于所述振动膜与所述背电极结构之间;以及释放孔,形成于所述背电极结构中,与所述空气隙连通。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海集成电路研发中心有限公司,未经上海集成电路研发中心有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201310630284.8/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top