[发明专利]有源矩阵有机发光二极管像素驱动电路及其驱动方法

摘要

本发明提供有源矩阵有机发光二极管像素驱动电路及其驱动方法，该驱动电路包括：第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管、第四晶体管、驱动晶体管、补偿电容和有机发光二极管，其中，所述驱动晶体管包括内嵌隧穿场效应管，通过该隧穿场效应管可以改变该驱动晶体管的阈值电压，进而改变驱动电流的大小，从而不仅补偿了各像素驱动晶体管阈值电压间的不均匀性，也减小了单个像素的面积，有利于开口率的提高。

主权项

一种有源矩阵有机发光二极管像素驱动电路，其特征在于，所述电路包括：第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管、第四晶体管、驱动晶体管、补偿电容和有机发光二极管，其中，所述第一晶体管的栅极接第一扫描控制信号，第一电极与第三晶体管的第二电极、驱动晶体管的漏极和第四晶体管的第二电极相连，第二电极连接补偿电容的第一端和驱动晶体管的控制栅极；所述第二晶体管的栅极接第二扫描控制信号，第一电极与有机发光二极管的第一极、补偿电容的第二端和驱动晶体管的源极相连，第二电极与有机发光二极管的第二极相连，并接第二电源电压信号；所述第三晶体管的栅极接发光控制信号，第一电极接第一电源电压信号；所述第四晶体管的栅极接第三扫描控制信号，第一电极接数据电压信号；所述驱动晶体管包括控制栅极、源极、漏极以及半浮栅，所述半浮栅的掺杂类型与源极、漏极相反；所述半浮栅与漏极掺杂区接触并形成一嵌入式二极管；所述控制栅极延伸至漏极掺杂区上方并覆盖其表面，所述半浮栅、漏极掺杂区及延伸至漏极掺杂区上方的控制栅极形成一嵌入式隧穿场效应晶体管。