[发明专利]有源矩阵有机发光二极管像素驱动电路及其驱动方法

权利要求书

1.一种有源矩阵有机发光二极管像素驱动电路，其特征在于，所述电路包括：第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管、第四晶体管、驱动晶体管、补偿电容和有机发光二极管，其中，

所述第一晶体管的栅极接第一扫描控制信号，第一电极与第三晶体管的第二电极、驱动晶体管的漏极和第四晶体管的第二电极相连，第二电极连接补偿电容的第一端和驱动晶体管的控制栅极；

所述第二晶体管的栅极接第二扫描控制信号，第一电极与有机发光二极管的第一极、补偿电容的第二端和驱动晶体管的源极相连，第二电极与有机发光二极管的第二极相连，并接第二电源电压信号；

所述第三晶体管的栅极接发光控制信号，第一电极接第一电源电压信号；

所述第四晶体管的栅极接第三扫描控制信号，第一电极接数据电压信号。

2.根据权利要求1所述的有源矩阵有机发光二极管像素驱动电路，其特征在于，所述驱动晶体管除控制栅极、源极、漏极外，还包括半浮栅，且所述半浮栅的掺杂类型与源极、漏极相反；所述半浮栅与漏极掺杂区接触并形成一嵌入式二极管；所述控制栅极延伸至漏极掺杂区上方并覆盖其表面，所述半浮栅、漏极掺杂区及延伸至漏极掺杂区上方的控制栅极形成一嵌入式隧穿场效应晶体管。

3.根据权利要求1所述的有源矩阵有机发光二极管像素驱动电路，其特征在于，所述第一晶体管为对称结构，其第一电极、第二电极可互换；所述第二、第三、第四晶体管为对称结构或非对称结构。

4.根据权利要求3所述的有源矩阵有机发光二极管像素驱动电路，其特征在于：所述第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管和第四晶体管选自多晶硅薄膜晶体管、非晶硅薄膜晶体管、氧化锌基薄膜晶体管和有机薄膜晶体管中的任意一者。

5.根据权利要求3所述的有源矩阵有机发光二极管像素驱动电路，其特征在于：所述第一电极为漏极，第二电极为源极，所述第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管和第四晶体管为N型，所述有机发光二极管的第一极为阳极。

6.根据权利要求3所述的有源矩阵有机发光二极管像素驱动电路，其特征在于：所述第一电极为源极，第二电极为漏极，所述第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管和第四晶体管为P型，所述有机发光二极管的第一极为阴极。

7.一种有源矩阵有机发光二极管像素驱动方法，采用权利要求1～6中任意一项所述的有源矩阵有机发光二极管像素驱动电路，其特征在于，该方法包括：

复位阶段：第二晶体管和第四晶体管导通，第一晶体管和第三晶体管关断，驱动晶体管通过第四晶体管进行放电；

预充电阶段：第一晶体管、第二晶体管和第三晶体管导通，第四晶体管关断，电源电压信号通过第一晶体管和第三晶体管对补偿电容进行充电；

阈值电压存储阶段：第一晶体管和第二晶体管导通，第三晶体管和第四晶体管关断，补偿电容通过驱动晶体管和第二晶体管放电，放电完成时，补偿电容两端的电压即为驱动晶体管的初始阈值电压；

电荷存储阶段：第二晶体管和第四晶体管导通，第一晶体管和第三晶体管关断，数据电压信号经第四晶体管作用于驱动晶体管的漏极，并以电荷形式存储至驱动晶体管的半浮栅中，驱动晶体管的阈值电压变为第二阈值电压；

发光阶段：第一晶体管、第二晶体管和第四晶体管关断，第三晶体管导通，驱动晶体管驱动有机发光二极管发光。

8.根据权利要求7所述的有源矩阵有机发光二极管像素驱动方法，其特征在于：在复位阶段，驱动晶体管半浮栅和漏极之间的二极管正偏，通过第四晶体管对驱动晶体管的半浮栅进行放电。

9.根据权利要求7所述的有源矩阵有机发光二极管像素驱动方法，其特征在于：在预充电阶段，补偿电容充电后的两端电压高于驱动晶体管的初始阈值电压。

10.根据权利要求7所述的有源矩阵有机发光二极管像素驱动方法，其特征在于：在电荷存储阶段，驱动晶体管中的嵌入式隧穿场效应晶体管导通，数据电压信号经第四晶体管作用于驱动晶体管的漏极，并以电荷形式存储至驱动晶体管的半浮栅中，对驱动晶体管的半浮栅进行充电，充电完成后，驱动晶体管的阈值电压变为第二阈值电压。

11.根据权利要求7所述的有源矩阵有机发光二极管像素驱动方法，其特征在于：在发光阶段，补偿电容两端的电压差为驱动晶体管的初始阈值电压并保持不变，有机发光二极管的发光亮度在一帧图像的时间内保持不变。