[发明专利]有源矩阵有机发光二极管像素驱动电路及其驱动方法有效
申请号: | 201310630148.9 | 申请日: | 2013-11-29 |
公开(公告)号: | CN103594059B | 公开(公告)日: | 2017-01-11 |
发明(设计)人: | 刘超;丁毅岭;方娜;田犁;汪宁;章琦;汪辉;封松林 | 申请(专利权)人: | 中国科学院上海高等研究院 |
主分类号: | G09G3/3233 | 分类号: | G09G3/3233;G09G3/3258 |
代理公司: | 上海光华专利事务所31219 | 代理人: | 李仪萍 |
地址: | 201210 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 有源 矩阵 有机 发光二极管 像素 驱动 电路 及其 方法 | ||
技术领域
本发明涉及显示驱动技术,特别是涉及有源矩阵有机发光二极管像素驱动电路及其驱动方法。
背景技术
有源矩阵有机发光二极管(Active Matrix/Organic Light Emitting Diode,AMOLED)显示器是当今平板显示器研究领域的热点之一,与传统OLED相比,有源矩阵有机发光二极管具有低能耗、宽视角、响应快、对比度高等优点。
有源矩阵有机发光二极管的像素中采用的薄膜晶体管主要分为氢化非晶硅薄膜晶体管(a-Si:H TFT)和低温多晶硅薄膜晶体管(LTPS TFT)两种,由于材料本身性质的差异,a-Si:H TFT的载流子迁移率要比LTPS TFT的要低。与采用LTPS TFT的像素相比,采用a-Si:H TFT的像素需要加大器件尺寸,并提高驱动电压,才能实现与LTPS TFT相同的驱动效果,但是,由此也会导致像素的开口率和器件寿命降低。因此,采用LTPS TFT的有源矩阵有机发光二极管器件具有明显的优势。
由于实际制造工艺的偏差,像素内的驱动管TFT的阈值电压和载流子迁移率并不完全相同。若不采用补偿技术,像素驱动器件参数的差异将导致显示图像亮度不均匀,从而造成图像显示质量的下降。此外,随着工作时间的累积,器件将会老化,驱动TFT的阈值电压会增大,在相同的电压信号下,驱动TFT的驱动电流变小,从而影响图像的整体亮度。
为了解决上述问题,人们提出了很多种补偿方案,作为现有技术中较为典型的补偿方案之一,申请号为201010522409.1、名称为“有源有机电致发光显示器的像素驱动电路及其驱动方法”的中国专利提出了一种补偿作用的像素驱动电路,图1和图2分别为现有技术中有源矩阵有机发光二极管像素驱动电路结构示意图和相应的驱动时序示意图。如图1、图2所示,该方案中,有源矩阵有机发光二极管像素驱动电路包括一个驱动晶体管T2,四个开关晶体管T1、T3、T4、T5,一个耦合电容C1,一个补偿电容C2和一个有机发光二极管OLED,第一晶体管T1控制耦合电容C1为驱动晶体管T2的栅极写入灰度数据电压Vdata,驱动晶体管T2用于驱动有机发光二极管OLED发光,第三晶体管T3通过第四晶体管T4提供充电通路,通过驱动晶体管T2提供放电通路,第四晶体管T4通过驱动晶体管T2控制有机发光二极管OLED发光,第五晶体管T5提供放电通路,避免有机发光二极管OLED在阈值电压存储阶段发光。
该方案提供的像素驱动电路能够有效地解决有源矩阵有机发光二极管各个像素点驱动晶体管T2阈值电压的不均匀性,以及有机发光二极管OLED随着工作时间增加导致开启电压的退化。但是该像素结构较为复杂,不利于其开口率的提高,尤其是像素中的两个电容占据的面积较大,很大程度上限制了像素的小型化,不利于有源矩阵有机发光二极管显示器集成度的进一步提高。
发明内容
鉴于以上所述现有技术的缺点,本发明的目的在于提供一有源矩阵有机发光二极管像素驱动电路及其驱动方法,用于解决现有技术中有源矩阵有机发光二极管像素驱动器件阈值电压不均匀,以及像素结构复杂,不利于其开口率提高的问题。
为实现上述目的及其他相关目的,本发明提供一有源矩阵有机发光二极管像素驱动电路,该驱动电路包括:第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管、第四晶体管、驱动晶体管、补偿电容和有机发光二极管,其中,
所述第一晶体管的栅极接第一扫描控制信号,第一电极与第三晶体管的第二电极、驱动晶体管的漏极和第四晶体管的第二电极相连,第二电极连接补偿电容的第一端和驱动晶体管的控制栅极;
所述第二晶体管的栅极接第二扫描控制信号,第一电极与有机发光二极管的第一极、补偿电容的第二端和驱动晶体管的源极相连,第二电极与有机发光二极管的第二极相连,并接第二电源电压信号;
所述第三晶体管的栅极接发光控制信号,第一电极接第一电源电压信号;
所述第四晶体管的栅极接第三扫描控制信号,第一电极接数据电压信号。
优选地,所述第一晶体管为对称结构,其第一电极、第二电极可互换;所述第二、第三、第四晶体管为对称结构或非对称结构。
进一步地,所述第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管和第四晶体管选自多晶硅薄膜晶体管、非晶硅薄膜晶体管、氧化锌基薄膜晶体管和有机薄膜晶体管中的任意一者。
优选地,所述第一电极为漏极,第二电极为源极,所述第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管和第四晶体管为N型,所述有机发光二极管的第一极为阳极。
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