[发明专利]一种嵌入式籽晶生长REBCO准单晶体的方法有效
| 申请号： | 201310628510.9 | 申请日： | 2013-11-29 |
| 公开（公告）号： | CN103614775A | 公开（公告）日： | 2014-03-05 |
| 发明（设计）人： | 姚忻;王伟;彭波南;郭林山;陈媛媛;庄宇峰;李昊辰 | 申请（专利权）人： | 上海交通大学 |
| 主分类号： | C30B29/22 | 分类号： | C30B29/22;C30B11/14;C30B28/06 |
| 代理公司： | 上海旭诚知识产权代理有限公司 31220 | 代理人： | 郑立 |
| 地址： | 200240 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种嵌入式籽晶生长REBCO准单晶体的方法，包括如下工序：a）制备RE123相的粉末；b）制备嵌入式籽晶的前驱体；c）将嵌入式籽晶的前驱体置于生长炉中进行熔融织构法生长REBCO准单晶体；其中，工序b）中的前驱体为工序a）获得的RE123相的粉末按RE123+（0.3～1.5）wt%CeO2的比例混合均匀，压制而成的圆柱形前驱体；嵌入式籽晶是指在压制过程中，将籽晶的诱导生长面水平地固定嵌入前驱体的内部。本发明的籽晶嵌入到REBCO前驱体内，有效抑制薄膜籽晶中的稀土元素的溶解和扩散，保证薄膜在高温状态的结构完整，提高薄膜的热稳定性，进而利于REBCO准单晶体的制备。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 嵌入式 籽晶 生长 rebco 单晶体 方法 | ||
【主权项】：
一种嵌入式籽晶生长REBCO准单晶体的方法，包括如下工序：a）制备RE123相的粉末；b）制备嵌入式籽晶的前驱体；c）将所述嵌入式籽晶的前驱体置于生长炉中进行熔融织构法生长REBCO准单晶体；其特征在于，所述工序b）中的前驱体为工序a）获得的RE123相的粉末按RE123+（0.3～1.5）wt%CeO2的比例混合均匀，压制而成的圆柱形前驱体；所述嵌入式籽晶是指在压制过程中，将籽晶的诱导生长面水平地固定嵌入所述前驱体的中央区域的内部。
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