[发明专利]一种掺杂铬的晶态钨薄膜及其制备方法无效
| 申请号： | 201310627059.9 | 申请日： | 2013-11-29 |
| 公开（公告）号： | CN103628026A | 公开（公告）日： | 2014-03-12 |
| 发明（设计）人： | 朱开贵;刘方舒 | 申请（专利权）人： | 北京航空航天大学 |
| 主分类号： | C23C14/14 | 分类号： | C23C14/14;C23C14/35 |
| 代理公司： | 北京永创新实专利事务所 11121 | 代理人： | 李有浩 |
| 地址： | 100191*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 发明公开了一种掺杂铬的晶态钨薄膜及其制备方法，是利用磁控溅射设备直接连续溅射制备出掺杂铬的晶态钨薄膜，省略了后缀的退火处理。具体制备步骤为：将钨靶材放置在磁控溅射设备真空室中的直流溅射台上，把铬靶材放置在钨靶的溅射区内，基片放置在样品台上；对真空室抽真空至背底真空，向真空室充入氩气，并调节氩气流量和溅射气压，调节溅射直流和空载比；沉积溅射前预溅射一段时间后，调节基片至溅射区域，在设置的溅射沉积时间里开始制备掺杂铬的晶态钨薄膜。该工艺操作简单，薄膜为晶态，不脱落。磁控溅射得到的掺杂铬的晶态钨薄膜无需进行后续的热处理过程。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 掺杂 晶态 薄膜 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种掺杂铬的晶态钨薄膜，其特征在于：该掺杂铬的晶态钨薄膜的峰值在[110]、[200]、[211]、[220]。
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