[发明专利]一种掺杂铬的晶态钨薄膜及其制备方法

权利要求书

1.一种掺杂铬的晶态钨薄膜，其特征在于：该掺杂铬的晶态钨薄膜的峰值在[110]、[200]、[211]、[220]。

2.根据权利要求1所述的掺杂铬的晶态钨薄膜，其特征在于：该掺杂铬的晶态钨薄膜的厚度为2.5微米～3.5微米。

3.一种采用采用磁控溅射工艺制备掺杂铬的晶态钨薄膜的方法，其特征在于有下列步骤：

步骤一：钨基片的清洁处理

钨基片的质量百分比纯度为99.999%；

先将钨基片置于去离子水中进行超声清洗2～5分钟，再置于酒精（质量百分比浓度为70%）中进行超声清洗2～5分钟，再置于丙酮（质量百分比浓度为99.5%）中进行超声清洗2～5分钟，再置于去离子水中进行超声清洗2～5分钟，再置于酒精中进行超声清洗2～5分钟，取出，自然干燥后，得到清洁后钨基片；

超声波清洗的频率设置为30KHz；

步骤二：靶材和基片的放置

先将钨靶材放置在磁控溅射仪真空室中的直流溅射台上，再把铬靶材放置在钨靶的最大溅射区；

将步骤一清洗后的钨基片放置在真空室中的样品台上；

步骤三：调节溅射气压、溅射直流

将基片与鞋材放置好后，关闭真空室，对真空室抽真空至背底真空4×10^－4～5.5×10^－4Pa；

然后，向真空室充入氩气，并调节氩气流量和溅射气压，氩气流量为19～21scc，溅射气压为0.7～0.9Pa；氩气的体积百分比纯度为99.999%；

然后，调节空载比50和溅射直流电流0.14～0.16A；

步骤四：磁控溅射制薄膜

依据步骤三设置好的溅射工艺参数，打开运行开关，预溅射5～10min后，调节基片至溅射区域，然后磁控溅射沉积时间5～8h后，关闭设备，取出掺杂铬的晶态钨薄膜。

4.根据权利要求3所述的采用采用磁控溅射工艺制备掺杂铬的晶态钨薄膜的方法，其特征在于：铬靶材的规格尺寸为4×4×2mm，铬靶材放置在钨靶材上的方式为对称放置。

5.根据权利要求4所述的采用采用磁控溅射工艺制备掺杂铬的晶态钨薄膜的方法，其特征在于：铬靶材的数量为2、4或6块。

6.根据权利要求3所述的采用采用磁控溅射工艺制备掺杂铬的晶态钨薄膜的方法，其特征在于：制得的掺杂铬的晶态钨薄膜的峰值在[110]、[200]、[211]、[220]。

7.根据权利要求3所述的采用采用磁控溅射工艺制备掺杂铬的晶态钨薄膜的方法，其特征在于：制得的掺杂铬的晶态钨薄膜的的厚度为2.5微米～3.5微米。