[发明专利]纳米级的AgGaS2非线性光学晶体的合成方法在审
| 申请号： | 201310606329.8 | 申请日： | 2013-11-26 |
| 公开（公告）号： | CN103643296A | 公开（公告）日： | 2014-03-19 |
| 发明（设计）人： | 黄烽;周江聪;王元生 | 申请（专利权）人： | 中国科学院福建物质结构研究所 |
| 主分类号： | C30B29/46 | 分类号： | C30B29/46;C30B27/00;G02F1/355 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 350002 *** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明提出一种纳米级的AgGaS2非线性光学晶体的合成方法。本发明提出的合成方法的创新之处在于，采用了纳米比较容易合成的纳米Ag2S作为晶种及催化剂，在Ag2S的辅助作用之下，合成的AgGaS2非线性纳米晶，大小为15纳米，尺寸形貌极其均匀。该材料兼具量子尺寸效应和非线性光学特性，是一种优良的纳米光电材料。 | ||
| 搜索关键词： | 纳米 aggas sub 非线性 光学 晶体 合成 方法 | ||
【主权项】：
纳米级AgGaS2非线性晶体的合成方法，其特征为：先合成纳米Ag2S；之后以纳米Ag2S作为晶种和催化剂，在油胺、油酸、硫醇和十八烯混合溶剂中，在氮气气氛下加热到250‑280℃的温度，反应1‑2小时。
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