[发明专利]一种掺杂硅量子点发光二极管器件及其制备方法有效
| 申请号： | 201310606319.4 | 申请日： | 2013-11-25 |
| 公开（公告）号： | CN103618037B | 公开（公告）日： | 2017-04-19 |
| 发明（设计）人： | 曾祥斌;廖武刚;文西兴;郑文俊;冯枫;文杨阳;黄诗涵 | 申请（专利权）人： | 华中科技大学 |
| 主分类号： | H01L33/26 | 分类号： | H01L33/26;H01L33/00 |
| 代理公司： | 华中科技大学专利中心42201 | 代理人： | 朱仁玲 |
| 地址： | 430074 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种掺杂硅量子点发光二极管，包括硅衬底，沉积银纳米颗粒层，以及在银纳米颗粒结构上沉积多层分布均匀且包含掺杂硅量子点的SiNx薄膜，透明导电薄膜AZO层以及Si3N4钝化层。还公开了该发光二极管的制备方法，利用掺杂硅量子点‑SiNx薄膜的电致发光特性，构成发光二极管的发光有源层；利用掺杂可以钝化量子点，同时掺杂硅量子点与硅衬底形成的p‑n结增强电子空穴的辐射复合。此外，利用银纳米结构增加电致发光的强度，提高了发光器件的发光效率，且与传统的CMOS工艺兼容。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 掺杂 量子 发光二极管 器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种掺杂硅量子点发光二极管器件，包括：具有外延层的P+/P型硅衬底(2)；在硅衬底(2)上形成的银纳米颗粒层(3)，所述银纳米颗粒层(3)的厚度为30nm～40nm；在银纳米颗粒层(3)上，由多个Si3N4层(4)和掺杂富硅SiNx层(5)交替沉积形成的基于SiNx织构的掺杂硅量子点发光二极管器件有源发光层，所述有源发光层通过在氩气环境温度为700℃～950℃下进行退火处理，析出掺杂硅量子点而形成，所述有源发光层的厚度为75nm～160nm，所掺的杂质是磷(P)或砷(As)，所述硅量子点的直径在2nm～6nm，密度为1×1012cm‑2～1×1014cm‑2，所述SiNx织构是指富硅的氮化物，其中x的取值为0～1.33；在所述有源发光层上沉积的透明导电薄膜层(6)；在透明导电薄膜层(6)上生长的钝化层(7)；在钝化层(7)上刻蚀形成的金属电极(8)；以及在硅衬底(2)背面沉积形成的金属电极层(1)。
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