[发明专利]形成ESD器件及其结构的方法

摘要

本发明涉及形成ESD器件及其结构的方法。在一个实施方案中，ESD器件被配置成包括协助形成所述ESD器件的触发的触发器件。所述触发器件被配置成响应于输入电压具有不小于所述ESD器件的所述触发值的值而启动晶体管或SCR的晶体管。

主权项

1.一种ESD器件，其包括：所述ESD器件的输入端；所述ESD器件的公共回线；第一导电类型的半导体衬底；第二导电类型的第一半导体层，其在所述半导体衬底上且具有第一掺杂浓度；第一封阻结构，其形成为具有周边的第一闭合多边形，所述周边围绕所述第一半导体层的第一部分；第一晶体管，其形成在所述第一半导体层上并在所述半导体衬底的所述第一部分内，所述第一晶体管具有耦合至所述输入端或所述公共回线中的一个的第一载流电极，所述第一晶体管具有控制电极及第二载流电极；所述第一导电类型的第一半导体区域，其在所述第一半导体层的所述第一部分内，其中所述第一半导体区域形成所述第一晶体管的一部分，所述第一半导体区域具有大于所述第一半导体层的所述第一掺杂浓度的第二掺杂浓度；第一低电容二极管，其形成在所述第一半导体层上且在所述半导体衬底的所述第一部分外部，所述第一低电容二极管串联耦合在所述第一晶体管的所述输入端与所述第一载流电极之间；第一导体，其具有形成在开口中的第一导体部分，其延伸穿过所述第一半导体层至所述半导体衬底的一部分且物理地电接触所述半导体衬底的一部分，所述第一导体具有电耦合至所述第一晶体管的所述第二载流电极的第二导体部分；及触发器件，其形成在所述第一半导体层上并在所述第一半导体层的所述第一部分内，所述触发器件具有触发电压且耦合至所述第一晶体管的所述控制电极，其中所述触发器件被配置成响应于所述ESD器件的所述输入端接收不小于所述触发器件的所述触发电压的电压而启动所述第一晶体管。