[发明专利]一种减小电子显微镜观察晶圆缺陷误差的方法有效
| 申请号： | 201310597797.3 | 申请日： | 2013-11-22 |
| 公开（公告）号： | CN103646885A | 公开（公告）日： | 2014-03-19 |
| 发明（设计）人： | 倪棋梁;王凯;陈宏璘;龙吟 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人： | 竺路玲 |
| 地址： | 201210 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及大规模集成电路制造领域，尤其涉及一种减小电子显微镜观察晶圆缺陷误差的方法，通过该将晶圆参数直接导入到电子显微镜上，以定义芯片的各种信息，然后再将在电子显微镜下定义好的数据传送并保存到一个数据库中，最后，缺陷检测设备创建缺陷检测的程序时到该数据库中调用晶圆上芯片的信息使得采用电子显微镜观察缺陷的误差被大大地减小，进而确保了观察的精确性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 减小 电子显微镜 观察 缺陷 误差 方法 | ||
【主权项】：
一种减小电子显微镜观察晶圆缺陷误差的方法，其特征在于，所述方法包括： 提供一用于缺陷检测的晶圆； 采用电子显微镜定义所述晶圆上的参数信息； 缺陷检测设备调取所述参数信息，于创建缺陷检测程序后，对所述晶圆进行缺陷检测工艺，以检测出具有缺陷的晶圆； 利用所述电子显微镜对所述具有缺陷的晶圆进行观察。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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