[发明专利]LED芯片及其形成方法在审
| 申请号： | 201310594912.1 | 申请日： | 2013-11-21 |
| 公开（公告）号： | CN104659161A | 公开（公告）日： | 2015-05-27 |
| 发明（设计）人： | 张杰;彭遥 | 申请（专利权）人： | 比亚迪股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/58;H01L33/02 |
| 代理公司： | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 | 代理人： | 张大威 |
| 地址： | 518118 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种LED芯片及其形成方法。其中该LED芯片包括：衬底；第一掺杂类型半导体层，第一掺杂类型半导体层位于衬底上；第一电极，第一电极与第一掺杂类型半导体层接触；多量子阱，多量子阱位于第一掺杂类型半导体层上；第二掺杂类型半导体层，第二掺杂类型半导体层位于多量子阱上；电流扩散层，电流扩散层位于第二掺杂类型半导体层上；第二电极，第二电极位于电流扩散层的第一区域上；出光过渡层，出光过渡层位于电流扩散层的第二区域上；以及钝化层，钝化层位于出光过渡层上，其中，电流扩散层、出光过渡层和钝化层的折射率匹配。本发明的LED芯片具有出光角度大等优点。 | ||
| 搜索关键词： | led 芯片 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种LED芯片，其特征在于，包括：衬底；第一掺杂类型半导体层，所述第一掺杂类型半导体层位于所述衬底上；第一电极，所述第一电极与所述第一掺杂类型半导体层接触；多量子阱，所述多量子阱位于所述第一掺杂类型半导体层上；第二掺杂类型半导体层，所述第二掺杂类型半导体层位于所述多量子阱上；电流扩散层，所述电流扩散层位于所述第二掺杂类型半导体层上；第二电极，所述第二电极位于所述电流扩散层的第一区域上；出光过渡层，所述出光过渡层位于所述电流扩散层的第二区域上；以及钝化层，所述钝化层位于所述出光过渡层上，其中，所述电流扩散层、出光过渡层和钝化层的折射率匹配。
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