[发明专利]LED芯片及其形成方法

权利要求书

1.一种LED芯片，其特征在于，包括：

衬底；

第一掺杂类型半导体层，所述第一掺杂类型半导体层位于所述衬底上；

第一电极，所述第一电极与所述第一掺杂类型半导体层接触；

多量子阱，所述多量子阱位于所述第一掺杂类型半导体层上；

第二掺杂类型半导体层，所述第二掺杂类型半导体层位于所述多量子阱上；

电流扩散层，所述电流扩散层位于所述第二掺杂类型半导体层上；

第二电极，所述第二电极位于所述电流扩散层的第一区域上；

出光过渡层，所述出光过渡层位于所述电流扩散层的第二区域上；以及

钝化层，所述钝化层位于所述出光过渡层上，

其中，所述电流扩散层、出光过渡层和钝化层的折射率匹配。

2.如权利要求1所述的LED芯片，其特征在于，所述LED芯片为垂直结构。

3.如权利要求1所述的LED芯片，其特征在于，所述出光过渡层的折射率等于所述电流扩散层的折射率和所述钝化层的折射率的几何平均值。

4.如权利要求1所述的LED芯片，其特征在于，所述出光过渡层的透光率大于90%。

5.如权利要求1所述的LED芯片，其特征在于，所述出光过渡层为氧化镁薄膜、二氧化钛纳米/有机复合薄膜或者掺锡的氧化钇薄膜。

6.如权利要求1所述的LED芯片，其特征在于，所述出光过渡层为绝缘薄膜。

7.如权利要求1所述的LED芯片，其特征在于，还包括：位于所述衬底底部的背镀层。

8.一种LED芯片的形成方法，其特征在于，包括以下步骤：

提供衬底；

在所述衬底上形成第一掺杂类型半导体层；

在所述第一掺杂类型半导体层上形成多量子阱；

在所述多量子阱上形成第二掺杂类型半导体层；

在所述第二掺杂类型半导体层上形成电流扩散层；

在所述电流扩散层的第一区域上形成第二电极；

在所述电流扩散层的第二区域上形成出光过渡层；

在所述出光过渡层上形成钝化层；以及

形成第一电极，所述第一电极与所述第一掺杂类型半导体层接触，

其中，所述电流扩散层、出光过渡层和钝化层的折射率匹配。

9.如权利要求8所述的LED芯片的形成方法，其特征在于，所述LED芯片为垂直结构。

10.如权利要求8所述的LED芯片的形成方法，其特征在于，所述出光过渡层的折射率等于所述电流扩散层和所述钝化层的折射率几何平均值。

11.如权利要求8所述的LED芯片的形成方法，其特征在于，所述出光过渡层的透光率大于90%。

12.如权利要求8所述的LED芯片的形成方法，其特征在于，所述出光过渡层为氧化镁薄膜、二氧化钛纳米/有机复合薄膜或者掺锡的氧化钇薄膜。

13.如权利要求8所述的LED芯片的形成方法，其特征在于，所述出光过渡层为绝缘薄膜。

14.如权利要求8所述的LED芯片的形成方法，其特征在于，还包括：在所述衬底底部形成背镀层。