[发明专利]高性能高集成度漏电极辅控L形栅型无结晶体管有效
| 申请号： | 201310594237.2 | 申请日： | 2013-11-20 |
| 公开（公告）号： | CN104282752A | 公开（公告）日： | 2015-01-14 |
| 发明（设计）人： | 靳晓诗;刘溪;揣荣岩 | 申请（专利权）人： | 沈阳工业大学 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/423;H01L29/417;H01L29/10 |
| 代理公司： | 沈阳智龙专利事务所(普通合伙) 21115 | 代理人： | 宋铁军;周楠 |
| 地址： | 110870 辽宁省沈*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种具有高性能高集成度漏电极辅控L形栅型无结晶体管，所设计的L形栅电极具有大写英文字母L形结构特征，嵌入于单晶硅凹槽内的栅极绝缘层上方；漏电极除与单晶硅凹槽一端的上表面接触之外，还附着在临近该端的栅极绝缘层上。通过L形栅电极隔离与漏电极对单晶硅凹槽的共同控制作用，调节单晶硅凹槽内临近漏电极一端的载流子分布及能带弯曲程度，在减小无结型晶体管漏极寄生电阻的同时，同步减小反向泄漏电流，解决了普通无结晶体管漏极寄生电阻和反向泄漏电流无法同时减小的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 性能 集成度 漏电 极辅控 形栅型无 结晶体 | ||
【主权项】：
一种高性能高集成度漏电极辅控L形栅型无结晶体管，包括SOI晶圆的硅衬底（8），SOI晶圆的硅衬底（8）上方为SOI晶圆的绝缘层（7）；其特征在于：SOI晶圆的绝缘层（7）上方为单晶硅凹槽（6），相邻的单晶硅凹槽（6）之间通过绝缘介质层（5）隔离，单晶硅凹槽（6）的凹槽内壁表面为栅极绝缘层（4），栅极绝缘层（4）上方形成L形栅电极（3），单晶硅凹槽（6）一端的上表面与源电极（1）接触，单晶硅凹槽（6）另一端的上表面与漏电极（2）接触，漏电极（2）除与单晶硅凹槽（6）一端的上表面接触之外，还附着在临近该端的栅极绝缘层（4）上，L形栅电极（3）、源电极（1）和漏电极（2）之间彼此通过绝缘介质层（5）隔离。
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