[发明专利]高性能高集成度漏电极辅控L形栅型无结晶体管有效
| 申请号： | 201310594237.2 | 申请日： | 2013-11-20 |
| 公开（公告）号： | CN104282752A | 公开（公告）日： | 2015-01-14 |
| 发明（设计）人： | 靳晓诗;刘溪;揣荣岩 | 申请（专利权）人： | 沈阳工业大学 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/423;H01L29/417;H01L29/10 |
| 代理公司： | 沈阳智龙专利事务所(普通合伙) 21115 | 代理人： | 宋铁军;周楠 |
| 地址： | 110870 辽宁省沈*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 性能 集成度 漏电 极辅控 形栅型无 结晶体 | ||
【权利要求书】：
1.一种高性能高集成度漏电极辅控L形栅型无结晶体管，包括SOI晶圆的硅衬底（8），SOI晶圆的硅衬底（8）上方为SOI晶圆的绝缘层（7）；其特征在于：SOI晶圆的绝缘层（7）上方为单晶硅凹槽（6），相邻的单晶硅凹槽（6）之间通过绝缘介质层（5）隔离，单晶硅凹槽（6）的凹槽内壁表面为栅极绝缘层（4），栅极绝缘层（4）上方形成L形栅电极（3），单晶硅凹槽（6）一端的上表面与源电极（1）接触，单晶硅凹槽（6）另一端的上表面与漏电极（2）接触，漏电极（2）除与单晶硅凹槽（6）一端的上表面接触之外，还附着在临近该端的栅极绝缘层（4）上，L形栅电极（3）、源电极（1）和漏电极（2）之间彼此通过绝缘介质层（5）隔离。
2.根据权利要求1所述的具有高性能高集成度漏电极辅控L形栅型无结晶体管，其特征在于：L形栅电极（3）呈大写英文字母L形，嵌入于单晶硅凹槽（6）内的栅极绝缘层（4）的上方。
3.根据权利要求1所述的高性能高集成度漏电极辅控L形栅型无结晶体管，其特征在于：栅极绝缘层（4）是二氧化铪、四氮化三硅、三氧化二铝或者二氧化硅层。
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