[发明专利]MIM电容器及其制造方法

摘要

一种集成电路，包括：支撑物，在支撑物上方的至少三个金属层，该金属层包括具有顶板的顶部金属层和具有底板的底部金属层，在顶板和底板之间的介电材料，以便形成电容器，以及在支撑物上的多个氧化物层，该氧化物层包括顶部氧化物层，每个氧化物层各自覆盖相应的金属层。顶部氧化物层覆盖顶部金属层以及具有开口，通过该开口暴露至少部分顶板。一种通过提供具有金属和氧化物层的支撑物形成集成电路的方法，包括底板，形成腔体暴露底板，用介电材料填充腔体，应用具有顶板的另外的金属层和另外的氧化物层，以及形成开口以暴露顶板。

主权项

一种集成电路，其特征在于，包括：支撑物；布置在支撑物上方的至少三个金属层，所述金属层包括具有顶板的顶部金属层和具有底板的底部金属层；介电材料，所述介电材料设置在所述顶板和所述底板之间，以便形成电容器；以及布置在支撑物上的多个氧化物层，所述氧化物层包括顶部氧化物层，每个所述氧化物层各自覆盖相应的所述金属层；其中，顶部氧化物层覆盖顶部金属层，并且顶部氧化物层具有开口，通过该开口暴露至少部分顶板。