[发明专利]氧化物半导体组成物、氧化物薄膜晶体管及其制备方法在审
| 申请号： | 201310580866.X | 申请日： | 2013-11-15 |
| 公开（公告）号： | CN104659104A | 公开（公告）日： | 2015-05-27 |
| 发明（设计）人： | 谢佳升;连詹田;吴宏昱;傅欣敏;梁建铮 | 申请（专利权）人： | 中华映管股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 臧建明 |
| 地址： | 中国台湾桃园*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种氧化物半导体组成物、氧化物薄膜晶体管及其制备方法，其中氧化物半导体组成物包括石墨烯、金属氧化物前驱物以及溶剂。以氧化物半导体组成物的总重量计，其中石墨烯的含量为0.01至10重量百分比，金属氧化物含量为0.01至30重量百分比，溶剂的含量为60至99.98重量百分比。 | ||
| 搜索关键词： | 氧化物 半导体 组成 薄膜晶体管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种氧化物半导体组成物的制备方法，其特征在于，包括下列步骤：混合金属氧化物前驱物、石墨烯以及溶剂以形成氧化物半导体组成物，其中所述金属氧化物前驱物与所述溶剂构成金属氧化物溶液，且所述石墨烯分散于所述金属氧化物溶液中，以所述氧化物半导体组成物的总重量计，其中所述石墨烯的含量为0.01至10重量百分比，所述金属氧化物前驱物的含量为0.01至30重量百分比，所述溶剂的含量为60至99.98重量百分比。
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