[发明专利]光电元件及其制造方法在审
申请号: | 201310580722.4 | 申请日: | 2013-11-15 |
公开(公告)号: | CN104659175A | 公开(公告)日: | 2015-05-27 |
发明(设计)人: | 王佳琨;沈建赋;陈宏哲;陈昭兴 | 申请(专利权)人: | 晶元光电股份有限公司 |
主分类号: | H01L33/38 | 分类号: | H01L33/38;H01L33/40 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 陈小雯 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开一种光电元件及其制造方法。光电元件包含:一半导体叠层;一第一金属层形成于该半导体叠层之上,其中该第一金属层具有一第一主平面且该第一金属层的两边缘的厚度为渐薄;及一第二金属层形成于该第一金属层之上,其中该第二金属层具有一与该第一主平面平行的第二主平面且该第二金属层的两边缘的厚度为渐薄,且该第二金属层的边缘超过该第一金属层的边缘。 | ||
搜索关键词: | 光电 元件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种光电元件,包含:半导体叠层;第一金属层,形成于该半导体叠层之上,其中该第一金属层具有一第一主平面且该第一金属层的两边缘的厚度为渐薄;及第二金属层,形成于该第一金属层之上,其中该第二金属层具有一与该第一主平面平行的第二主平面且该第二金属层的两边缘的厚度为渐薄,且该第二金属层的边缘超过该第一金属层的边缘。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于晶元光电股份有限公司;,未经晶元光电股份有限公司;许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201310580722.4/,转载请声明来源钻瓜专利网。