[发明专利]光电元件及其制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种光电元件，尤其是涉及一种光电元件的电极设计。

背景技术

发光二极管(light-emitting diode,LED)的发光原理是利用电子在n型半导体与p型半导体间移动的能量差，以光的形式将能量释放，这样的发光原理有别于白炽灯发热的发光原理，因此发光二极管被称为冷光源。此外，发光二极管具有高耐久性、寿命长、轻巧、耗电量低等优点，因此现今的照明市场对于发光二极管寄予厚望，将其视为新一代的照明工具，已逐渐取代传统光源，并且应用于各种领域，如交通号志、背光模块、路灯照明、医疗设备等。

图1A是现有的发光元件结构示意图，如图1A所示，现有的发光元件100，包含有一透明基板10、一位于透明基板10上的半导体叠层12，以及至少一电极14位于上述半导体叠层12上，其中上述的半导体叠层12由上而下至少包含一第一导电型半导体层120、一活性层122，以及一第二导电型半导体层124。

图1B是现有的发光元件电极结构示意图，如图1B所示，现有的发光元件100，包含有一透明基板10、一位于透明基板10上的半导体叠层12，以及至少一电极14位于上述半导体叠层12上，其中电极14可包含一反射电极141及一扩散阻障层142。但因为扩散阻障层142可能反射率不佳，而降低了发光元件100的出光效率。

此外，上述的发光元件100更可以进一步地与其他元件组合连接以形成一发光装置(light-emitting apparatus)。图2为现有的发光装置结构示意图，如图2所示，一发光装置200包含一具有至少一电路202的次载体(sub-mount)20；至少一焊料(solder)22位于上述次载体20上，通过此焊料22将上述发光元件100粘结固定于次载体20上并使发光元件100的基板10与次载体20上的电路202形成电连接；以及，一电连接结构24，以电连接发光元件100的电极14与次载体20上的电路202；其中，上述的次载体20可以是导线架(lead frame)或大尺寸镶嵌基底(mounting substrate)，以方便发光装置200的电路规划并提高其散热效果。

发明内容

为解决上述问题，本发明提供一种光电元件，包含：一半导体叠层；一第一金属层形成于半导体叠层之上，其中第一金属层具有一第一主平面且第一金属层的两边缘的厚度为逐渐减薄；及一第二金属层形成于第一金属层之上，其中第二金属层具有一与第一主平面平行的第二主平面且第二金属层的两边缘的厚度为逐渐减薄，且第二金属层的边缘超过第一金属层的边缘。

附图说明

图1A-图1B为一结构图，显示一现有阵列发光二极管元件侧视结构图；

图2为一示意图，显示一现有发光装置结构示意图；

图3A-图3E为本发明第一实施例制造流程结构示意图；

图4A-图4B是显示本发明电极设计的二次电子显微镜图；

图5A至图5C是绘示出一发光模块示意图；

图6A-图6B是绘示出一光源产生装置示意图；及

图7是绘示一灯泡示意图。

具体实施方式

本发明揭示一种发光元件及其制造方法，为了使本发明的叙述更加详尽与完备，请参照下列描述并配合图3A至图7的图示。

图3A至图3E图3E为本发明第一实施例制造流程结构示意图，如图3A所示，提供一基板30，接着形成一半导体外延叠层32于此基板30之上，其中半导体外延叠层32由下而上至少包含一第一导电型半导体层、一活性层，以及一第二导电型半导体层，且半导体外延叠层32具有一未与基板30相邻的上表面321，其中此上表面包含一第一区3211与第二区3212。