[发明专利]光电元件及其制造方法

权利要求书

1.一种光电元件，包含：

半导体叠层；

第一金属层，形成于该半导体叠层之上，其中该第一金属层具有一第一主平面且该第一金属层的两边缘的厚度为渐薄；及

第二金属层，形成于该第一金属层之上，其中该第二金属层具有一与该第一主平面平行的第二主平面且该第二金属层的两边缘的厚度为渐薄，且该第二金属层的边缘超过该第一金属层的边缘。

2.如权利要求1所述的光电元件，其中该第一金属层的材料选自Ag、Rh、Pd、Al、Pt及上述材料的合金所组成的群组，及/或该第一金属层的反射率大于90%。

3.如权利要求1所述的光电元件，其中该第二金属层的材料相对第一金属层为一具伸张应力的金属材料，及/或该第二金属层的材料选自Ti、V、Cr、Ni、Cu、Nb、Ru、Pd及上述材料的合金所组成的群组。

4.如权利要求1所述的光电元件，其中该第一金属层的边缘与该第二金属层的边缘的最小距离大于3μm，及/或该第一金属层的边缘及/或该第二金属层的边缘具有一夹角小于10度。

5.如权利要求1所述的光电元件，其中还包含第三金属层，形成于该第二金属层之上，其中该第三金属层的两边缘的厚度为渐薄，且该第三金属层的边缘超过该第二金属层的边缘，及/或该第三金属层为一扩散阻障层，及/或该第三金属层的反射率小于该第一金属层的反射率。

6.一种制造一光电元件的方法，包含下列步骤：

提供一半导体叠层；

形成一第一金属层于该半导体叠层之上，其中该第一金属层具有一第一主平面且该第一金属层的两边缘的厚度为渐薄；及

形成一第二金属层于该第一金属层之上，其中该第二金属层具有一与该第一主平面平行的第二主平面且该主第二金属层的两边缘的厚度为渐薄，且该第二金属层的边缘覆盖该第一金属层的边缘。

7.如权利要求6所述的方法，还包含形成一光致抗蚀剂层于该半导体层之上，其中该光致抗蚀剂层具有一开口以露出该半导体叠层，及/或该光致抗蚀剂层具有一底切(undercut)形状。

8.如权利要求6所述的方法，其中于接近该开口处的该光致抗蚀剂层包含一形变，且该形变程度随该第二金属层沉积的厚度增加而增加，及/或该形变包含往上翘曲。

9.如权利要求6所述的方法，其中该第一金属层的材料选自Ag、Rh、Pd、Al、Pt及上述材料的合金所组成的群组，及/或该第一金属层的反射率大于90%。

10.如权利要求6所述的方法，其中该第二金属层的材料可为一具伸张应力的金属材料，及/或该第二金属层的材料包含选自Ti、V、Cr、Ni、Cu、Nb、Ru、Pd及上述材料的合金所组成的群组。