[发明专利]使用经掺杂的凸起源极和漏极区的源极和漏极掺杂

摘要

本发明涉及使用经掺杂的凸起源极和漏极区的源极和漏极掺杂，一种方法包含提供含有基底、位于基底上的电绝缘层以及位于电绝缘层上的半导体特征的半导体结构。栅极结构是形成于半导体特征上。经原位掺杂的半导体材料是沉积在半导体特征相邻栅极结构的部位上。掺质是从经原位掺杂的半导体材料扩散到半导体特征相邻栅极结构的部位内，进入半导体特征相邻栅极结构的部位的掺质的扩散在半导体特征中形成经掺杂的源极和漏极区。

主权项

一种用于形成半导体结构的方法，包含：提供半导体结构，该半导体结构包含半导体基底、位于该基底上的一层电绝缘材料、位于该电绝缘材料上的第一半导体特征以及位于该电绝缘材料上的第二半导体特征；形成位于该第一半导体特征上的第一栅极结构和位于该第二半导体特征上的第二栅极结构，其中，该第一栅极结构与该第二栅极结构的每一个包含栅极电极、相邻该栅极电极的侧壁间隔件、介于该栅极电极与该侧壁间隔件之间的衬里层；以及封装件，该封装件具有第一层、位于该第一层上的第二层、位于该第二层上的第三层及位于该第三层上的第四层，其中，该第一层与该第三层由第一材料所形成、该第二层与该第四层由第二材料所形成，且该第一材料与该第二材料相对彼此是选择性蚀刻；形成第一掩模，其中，该第一掩模覆盖该第二栅极结构和该第二半导体特征，以及该第一掩模未覆盖该第一栅极结构和该第一半导体特征；沉积第一经原位掺杂的半导体材料于相邻该第一栅极结构的该第一半导体特征上，该第一经原位掺杂的半导体材料包含第一掺质；移除该第一掩模及该第一栅极结构与第二栅极结构的该封装件的该第三层与第四层，其中该移除该第一掩模及该第一栅极结构与第二栅极结构的该封装件的该第三层与第四层包括执行经适配相对于该第一与第二半导体特征以及该第一经原位掺杂的半导体材料的一或多个材料以选择性地移除该第一掩膜的材料及该封装件的该第四层的材料的第一蚀刻制程；形成第二掩模，其中，该第二掩模覆盖该第一栅极结构和该第一半导体特征，以及该第二掩模未覆盖该第二栅极结构和该第二半导体特征；沉积第二经原位掺杂的半导体材料于相邻该第二栅极结构的该第二半导体特征上，该第二经原位掺杂的半导体材料包含不同于该第一掺质的第二掺质；移除该第二掩模及该第一栅极结构与第二栅极结构的该封装件的该第二层，其中该移除该第二掩模及该第一栅极结构与第二栅极结构的该封装件的该第二层包括执行经适配相对于该第一与第二半导体特征以及该第一及第二经原位掺杂的半导体材料的一或多个材料以选择性地移除该第二掩膜的材料及该封装件的该第二层的材料的第二蚀刻制程；以及进行退火制程，其中，该第一掺质的一部位从该第一经原位掺杂的半导体材料扩散到该第一半导体特征相邻该第一栅极结构的所述部位内以形成第一源极与漏极区，以及该第二掺质的一部位从该第二经原位掺杂的半导体材料扩散到该第二半导体特征相邻该第二栅极结构的所述部位内以形成第二源极与漏极区，其中，该第一源极与漏极区向下延伸到该第一栅极结构且对准该衬里层，以及该第二源极与漏极区向下延伸到该第二栅极结构且对准该衬里层。