[发明专利]晶体管制造方法和晶体管在审
| 申请号： | 201310567397.8 | 申请日： | 2013-11-14 |
| 公开（公告）号： | CN104637811A | 公开（公告）日： | 2015-05-20 |
| 发明（设计）人： | 潘光燃;文燕;王焜;石金成;高振杰 | 申请（专利权）人： | 北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/331 | 分类号： | H01L21/331;H01L29/732;H01L29/10 |
| 代理公司： | 北京友联知识产权代理事务所(普通合伙) 11343 | 代理人： | 尚志峰;汪海屏 |
| 地址： | 100871 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种晶体管制造方法和一种晶体管，其中晶体管制造方法包括：在形成有第一氧化层和第一基区的衬底的表面生长第二氧化层，第二氧化层位于第一基区的上方；在第二氧化层上的第一预设区域形成发射区；在第二氧化层上的第二预设区域形成接触孔，其中，第二预设区域与第一预设区域不相交；对接触孔区域的第一基区的表层注入掺杂元素；对衬底进行热处理，以激活掺杂元素形成第二基区。本发明能够将浓基区光刻层和接触孔光刻层巧妙的进行工艺整合，实现了浓基区光刻层和接触孔光刻层两者的自对准关系，解决了浓基区与接触孔的对准偏差问题。 | ||
| 搜索关键词： | 晶体管 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种晶体管制造方法，其特征在于，包括：在形成有第一氧化层和第一基区的衬底的表面生长第二氧化层，其中，所述第二氧化层位于所述第一基区的上方；在所述第二氧化层上的第一预设区域形成发射区；在所述第二氧化层上的第二预设区域形成接触孔，其中，所述第二预设区域与所述第一预设区域不相交；对所述接触孔区域的第一基区的表层注入掺杂元素；对所述衬底进行热处理，以激活所述掺杂元素形成第二基区。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
