[发明专利]像素结构及其制作方法无效
| 申请号： | 201310562065.0 | 申请日： | 2013-11-12 |
| 公开（公告）号： | CN103558719A | 公开（公告）日： | 2014-02-05 |
| 发明（设计）人： | 郝思坤 | 申请（专利权）人： | 深圳市华星光电技术有限公司 |
| 主分类号： | G02F1/1362 | 分类号： | G02F1/1362;G02F1/1368 |
| 代理公司： | 深圳市德力知识产权代理事务所 44265 | 代理人： | 林才桂 |
| 地址： | 518132 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提供一种像素结构及其制作方法，该像素结构包括：一透明基板（60）、形成于透明基板（60）上的栅极线、形成于透明基板（60）上的薄膜晶体管、形成于透明基板（60）上的数据线（68）、形成于透明基板（60）及薄膜晶体管上的像素电极（62）、形成于像素电极（62）、透明基板（60）及数据线（68）上的钝化层（64）、以及形成钝化层（64）上的公共电极（66），该钝化层（64）包括：位于数据线（68）上的第一部分（72）、位于像素电极（62）上的第二部分（74）、及位于透明基板（60）上且位于数据线（68）的两侧的第三部分（76），钝化层（64）第一部分（72）的厚度大于第二部分（74）的厚度。 | ||
| 搜索关键词： | 像素 结构 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种像素结构，其特征在于，包括：一透明基板（60）、形成于透明基板（60）上的栅极线、形成于透明基板（60）上的薄膜晶体管、形成于透明基板（60）上的数据线（68）、形成于透明基板（60）及薄膜晶体管上的像素电极（62）、形成于像素电极（62）、透明基板（60）及数据线（68）上的钝化层（64）、以及形成钝化层（64）上的公共电极（66），所述钝化层（64）包括：位于数据线（68）上的第一部分（72）、位于像素电极（62）上的第二部分（74）、以及位于透明基板（60）上且位于数据线（68）的两侧的第三部分（76），所述钝化层（64）第一部分（72）的厚度大于第二部分（74）的厚度，所述像素电极（62）与所述公共电极（66）部分重叠以形成存储电容。
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