[发明专利]电性连接结构及其制备方法有效
| 申请号： | 201310556722.0 | 申请日： | 2013-11-11 |
| 公开（公告）号： | CN103985667B | 公开（公告）日： | 2017-03-29 |
| 发明（设计）人： | 陈智;刘道奇;黄以撒;刘健民 | 申请（专利权）人： | 财团法人交大思源基金会 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L23/528 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司11021 | 代理人： | 曹玲柱 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明是有关于一种用以电性连接一第一基板及一第二基板的电性连接结构及其制备方法，其中制备方法包括(A)提供一第一基板及一第二基板，其中第一基板上设有一第一铜膜，第二基板上设有一第一金属膜，第一铜膜的一第一接合面为一含(111)面的接合面，且该第一金属膜具有一第二接合面；以及(B)将第一铜膜及第一金属膜相互接合以形成接点，其中第一铜膜的第一接合面与第一金属膜的第二接合面相互对应。 | ||
| 搜索关键词： | 连接 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种用以电性连接一第一基板及一第二基板的电性连接结构的制备方法，其特征在于，包括下列步骤：(A)提供一第一基板及一第二基板，其中该第一基板上设有一第一铜膜，该第二基板上设有一第一金属膜，该第一铜膜的一第一接合面为一含(111)面的接合面，且该第一金属膜具有一第二接合面；以及(B)将该第一铜膜及该第一金属膜相互接合以形成一接点，其中该第一铜膜的该第一接合面与该第一金属膜的该第二接合面相互对应；其中，该第一铜膜的材料为一接合面为(111)面的铜层、或一纳米双晶铜层；且以该含(111)面的接合面的总面积为基准，60‑100％的总面积为(111)面。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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