[发明专利]电性连接结构及其制备方法

权利要求书

1.一种用以电性连接一第一基板及一第二基板的电性连接结构的制备方法，其特征在于，包括下列步骤：

(A)提供一第一基板及一第二基板，其中该第一基板上设有一第一铜膜，该第二基板上设有一第一金属膜，该第一铜膜的一第一接合面为一含(111)面的接合面，且该第一金属膜具有一第二接合面；以及

(B)将该第一铜膜及该第一金属膜相互接合以形成一接点，其中该第一铜膜的该第一接合面与该第一金属膜的该第二接合面相互对应。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其中该第一铜膜的该第一接合面及该第一金属膜的该第二接合面均为一含(111)面的接合面。

3.根据权利要求1所述的制备方法，其中该第一铜膜包括多个具有(111)面的铜晶粒，以该铜晶粒的(111)面的法向量与接合面的法向量的角度为15度定为(111)面的基础下，在该含(111)面的接合面中，以该含(111)面的接合面的总面积为基准，40-100％的总面积为(111)面。

4.根据权利要求1所述的制备方法，其中该第一金属膜的材料选自由金、银、铂、镍、铜、钛、铝及钯所组成的群组。

5.根据权利要求1所述的制备方法，其中该第一金属膜为一第二铜膜。

6.根据权利要求5所述的制备方法，其中该第一铜膜及该第二铜膜的材料分别为一接合面为(111)面的铜层、或一纳米双晶铜层。

7.根据权利要求1所述的制备方法，其中在步骤(A)前还包括一步骤(A’)：以酸液清洗该第一铜膜的该第一接合面与该第一金属膜的该第二接合面。

8.根据权利要求6所述的制备方法，其中该纳米双晶铜层的50％以上的体积包括多个晶粒。

9.根据权利要求7所述的制备方法，其中该晶粒为柱状双晶体。

10.根据权利要求8所述的制备方法，其中该晶粒彼此间互相连接，该每一晶粒是由多个纳米双晶铜沿着[111]晶轴方向堆叠而成，且相邻的该晶粒间的堆叠方向的夹角为0至20度。

11.根据权利要求1所述的制备方法，其中在步骤(B)中，是通过加压以将该第一铜膜及该第一金属膜相互接合。

12.根据权利要求1所述的制备方法，其中在步骤(B)中，是在100-400℃的温度下，通过加压以将该第一铜膜及该第一金属膜相互接合。

13.根据权利要求1所述的制备方法，其中在步骤(B)中，是在1-10^-3torr真空度下将该第一铜膜及该第一金属膜相互接合。

14.一种用以电性连接一第一基板及一第二基板的电性连接结构，其特征在于，包括：

一第一基板；

一第二基板；以及

一接点，设于该第一基板与该第二基板间，其中该接点由一第一铜膜及一第一金属膜相互接合而成，且在该第一铜膜与该第一金属膜间的接面包括多个晶粒，而该晶粒沿着[111]晶轴方向堆叠而成。

15.根据权利要求14所述的电性连接结构，其中该晶粒为柱状晶粒。

16.根据权利要求14所述的电性连接结构，其中该第一金属膜的材料选自由金、银、铂、镍、铜、钛、铝及钯所组成的群组。

17.根据权利要求14所述的电性连接结构，其中该第一铜膜的材料为一接合面为(111)面的铜层、或一纳米双晶铜层。

18.根据权利要求17所述的电性连接结构，其中该纳米双晶铜层的50％以上的体积包括多个晶粒。

19.根据权利要求18所述的电性连接结构，其中该晶粒为柱状双晶体。

20.根据权利要求18所述的电性连接结构，其中该晶粒彼此间互相连接，该每一晶粒由多个纳米双晶铜沿着[111]晶轴方向堆叠而成，且相邻的该晶粒间的堆叠方向的夹角为0至20度。