[发明专利]具有自对准气隙的半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201310553483.3 | 申请日： | 2013-11-08 |
| 公开（公告）号： | CN103915376B | 公开（公告）日： | 2019-01-15 |
| 发明（设计）人： | 卢一喆;李钟旼 | 申请（专利权）人： | 爱思开海力士有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L23/522 |
| 代理公司： | 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363 | 代理人： | 俞波;许伟群 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 一种制造半导体器件的方法包括以下步骤：在衬底之上形成多个半导体结构；在半导体结构之上形成层间电介质层；刻蚀层间电介质层，并且在半导体结构之间限定开口部分以暴露衬底的表面；在开口部分的侧壁上形成牺牲间隔件；在开口部分中形成导电层图案；以及使导电层图案和牺牲间隔件相互反应，并且在开口部分的侧壁上限定气隙。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 对准 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制造半导体器件的方法，包括以下步骤：在衬底之上形成多个半导体结构；在所述半导体结构之间限定开口部分；在所述开口部分的侧壁之上形成牺牲间隔件；在所述开口部分中形成导电层图案；以及使所述导电层图案与所述牺牲间隔件相互反应，由此在所述开口部分的侧壁上限定气隙，其中，所述限定气隙的步骤包括：将所述导电层图案和所述牺牲间隔件凹陷；形成覆盖物质层以覆盖凹陷的导电层图案和凹陷的牺牲间隔件，其中，即使在使所述导电层图案与所述牺牲间隔件相互反应以限定气隙的期间，所述覆盖物质层也覆盖凹陷的导电层图案和凹陷的牺牲间隔件。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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