[发明专利]一种GaN基白光发光二极管及其制备方法有效
| 申请号： | 201310552311.4 | 申请日： | 2013-11-08 |
| 公开（公告）号： | CN103531681A | 公开（公告）日： | 2014-01-22 |
| 发明（设计）人： | 桂宇畅 | 申请（专利权）人： | 华灿光电(苏州）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/08 | 分类号： | H01L33/08;H01L33/06;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人： | 徐立 |
| 地址： | 215600 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种GaN基白光发光二极管及其制备方法，属于半导体技术领域。所述发光二极管包括衬底、在所述衬底正面依次生长的第一低温缓冲层、第一高温缓冲层、n型GaN层、第一量子阱发光层、p型GaN层、纳米铟锡金属氧化物层、n型电极、p型电极和钝化层；在所述衬底反面依次生长的第二低温缓冲层、第二高温缓冲层和第二量子阱发光层，所述第一量子阱发光层用于发出蓝光，所述第二量子阱发光层用于在第一量子阱发光层发出的蓝光的激发下发出黄光。本发明通过在衬底正反两面生长不同的量子阱结构分别发出蓝光和黄光复合得到白光。由于不使用荧光粉，光衰影响小，因此GaN基白光LED具有良好的稳定性和使用寿命，且工业化生产简单。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 gan 白光 发光二极管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种GaN基白光发光二极管，所述发光二极管包括衬底、在所述衬底正面依次生长的第一低温缓冲层、第一高温缓冲层、n型GaN层、第一量子阱发光层、p型GaN层、纳米铟锡金属氧化物层和钝化层，所述p型GaN层上生长有p型电极，所述n型GaN层上生长有n型电极，且所述p型电极和所述n型电极穿过所述钝化层裸露在外，其特征在于，所述发光二极管还包括在所述衬底反面依次生长的第二低温缓冲层、第二高温缓冲层和第二量子阱发光层，所述第一量子阱发光层用于发出蓝光，所述第二量子阱发光层用于在所述第一量子阱发光层发出的蓝光的激发下发出黄光。
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