[发明专利]高光效发光二极管芯片及其制备方法

摘要

本发明公开了一种高光效发光二极管芯片及其制备方法，涉及半导体技术领域。该方法包括：提供一衬底；在衬底上生长GaN基外延片；在GaN基外延片上制备用于裸露部N型GaN层的凸台；在凸台的下水平端面的一部分区域上制备阵列形式排列的凸起或凹陷图形；在凸台的上水平端面上生长透明导电层；在凸台的下水平端面的另一部分区域上设置N电极，在透明导电层上设置P电极；在透明导电层的上表面之裸露的部分、凸台的竖直端面和下水平端面之裸露的部分上均覆盖钝化层。通过上述技术方案，本发明制备的高光效发光二极管芯片能较大程度地避免GaN基外延片中多量子阱层发出的光被GaN基外延片内部吸收，提高发光二极管芯片的光提取效率。

主权项

一种高光效发光二极管芯片的制备方法，其特征在于，包括：提供一衬底；在所述衬底上生长GaN基外延片，所述GaN基外延片包括在所述衬底上依次向上生长的N型GaN层、多量子阱层和P型GaN层；在所述GaN基外延片上制备用于裸露部分的所述N型GaN层的凸台；在所述凸台的下水平端面的一部分区域上制备阵列形式排列的凸起或凹陷图形；在所述凸台的上水平端面上生长透明导电层；在所述凸台的下水平端面的另一部分区域上设置N电极，在所述透明导电层上设置P电极；在所述透明导电层的上表面之裸露的部分、所述凸台的竖直端面和下水平端面之裸露的部分上均覆盖钝化层。