[发明专利]一种制备P型掺杂非晶硅碳薄膜的装置有效
| 申请号： | 201310552032.8 | 申请日： | 2013-11-08 |
| 公开（公告）号： | CN103572256A | 公开（公告）日： | 2014-02-12 |
| 发明（设计）人： | 彭寿;王芸;马立云;崔介东 | 申请（专利权）人： | 蚌埠玻璃工业设计研究院;中国建材国际工程集团有限公司 |
| 主分类号： | C23C16/44 | 分类号： | C23C16/44;C23C16/448;C23C16/30;H01L31/20 |
| 代理公司： | 安徽省蚌埠博源专利商标事务所 34113 | 代理人： | 杨晋弘 |
| 地址： | 233010 安徽*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明公开一种制备P型掺杂非晶硅碳薄膜的装置，包括真空腔室(1)，真空腔室(1)内底部设有衬底板(5)、衬底加热器(13)与衬底挡板(14)并连接有真空泵通道(15)；真空腔室(1)内顶部设有与直流电源(4)连接的钽丝(2)以及混合反应气体进气通道(10)；真空腔室(1)的侧壁两侧分别设有铝磁控溅射装置(7)与碳磁控溅射装置(9)以及第一氩气通道(11)与第二氩气通道(12)；钽丝(2)发热后发射电子电离出氩离子，氩离子轰击铝靶(6)与碳靶(8)溅射出铝原子与碳原子，然后进行化学气相沉积完成P型掺杂的非晶硅碳薄膜的制备；将化学气相沉积技术与磁控溅射技术相结合，掺杂效率高且掺杂均匀，能有效提高电导率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 制备 掺杂 非晶硅碳 薄膜 装置 | ||
【主权项】：
一种制备P型掺杂非晶硅碳薄膜的装置，包括真空腔室(1)，真空腔室(1)内底部设有衬底板(5)、衬底加热器(13)与衬底挡板(14)，真空腔室(1)底部连接有真空泵通道(15)，其特征在于，所述真空腔室(1)内顶部设有与直流电源(4)连接的钽丝(2)以及混合反应气体进气通道(10)；真空腔室(1)的侧壁两侧分别设有铝磁控溅射装置(7)与碳磁控溅射装置(9)；所述真空腔室(1)的侧壁两侧还分别设有第一氩气通道(11)与第二氩气通道(12)，第一氩气通道(11)位于铝磁控溅射装置(7)中铝靶(6)的下方，第二氩气通道(12)位于碳磁控溅射装置(9)中碳靶(8)的下方。
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
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