[发明专利]真空装置、其压力控制方法和蚀刻方法有效
申请号: | 201310549740.6 | 申请日: | 2013-11-07 |
公开(公告)号: | CN103811300B | 公开(公告)日: | 2018-01-23 |
发明(设计)人: | 山本浩司;广瀬宽司 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | H01L21/02 | 分类号: | H01L21/02;H01L21/67 |
代理公司: | 北京尚诚知识产权代理有限公司11322 | 代理人: | 龙淳 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明要解决的技术问题是在主要利用APC阀进行处理容器内的压力调节的真空装置中,抑制急剧的压力变化。按照步骤S1~步骤S5的步骤,能够抑制处理容器(1)内的压力变化。在步骤S1中,EC(81)取得APC阀(55)的开度,在步骤S2中,利用EC(81)的开度判定部(123)判断步骤S1中取得的APC阀(55)的开度是否已超过第一阈值。当在步骤S2中判定为开度超过第一阈值(是)的情况下,在步骤S3中超过计数器(124)将超过计数值累加1次计数。接着,在步骤S4中,进行由超过计数器(124)计数的超过计数值的累计值是否已超过第二阈值的判定,在判定为超过计数值超过第二阈值(是)的情况下,流量控制部(121a)经由MC(83)对质量流量控制器(MFC)(43)发送控制信号,使得使处理气体的流量减少规定量。 | ||
搜索关键词: | 真空 装置 压力 控制 方法 蚀刻 | ||
【主权项】:
一种真空装置,其特征在于,具备:收容被处理体、并且能够将内部保持真空的处理容器;经由气体供给路径对所述处理容器内供给处理气体的气体供给源;设置于所述气体供给路径上,对所述处理气体的供给流量进行调节的流量调节装置;检测所述处理容器内的压力的压力检测装置;经由排气路径与所述处理容器连接的排气装置;设置于所述排气路径上,根据由所述压力检测装置检测出的压力值,自动地调节开度的自动压力控制阀;监视所述自动压力控制阀的开度的开度监视部;和根据所述开度监视部的监视结果,利用所述流量调节装置对供给的气体流量进行调节的流量控制部,所述流量控制部在所述自动压力控制阀的开度上升了的情况下,反复执行控制所述流量调节装置的处理,使得所述处理气体的供给流量减少预先设定的减少量。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造